应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统

正全新的Applied Varian VIISta~ 900 3D系统实现无与伦比的离子束线路精度,适用于复杂FinFET和3D存储结构的掺杂工艺独一无二的离子束形状控制能力结合SuperScan 3TM技术,可显著降低器件可变性,实现卓越的颗粒控制性能,从而显著提升产品良率应用材料公司日前宣布全新推出Applied Varian VIISta 900 3D系统。作为业内领先的中电流     

低β 162.5 MHz taper型HWR腔的机械性能分析（英文）

北京大学正在设计β=0.09,频率为162.5 MHz taper型的二分之一波长射频超导谐振腔(HWR腔),这种腔针对高流强质子束(约100mA)和氘束(约50mA)的加速而设计。对于这种超导腔而言机械性能分析是十分重要的,可以通过机械性能分析来估计由于腔体的形变带来的频率偏移。用ANSYS分析了由于液氦压力不稳定造成的麦克风效应以及洛伦兹力造成的腔体失谐,并且对沿腔体轴线方向的调谐进行了分析。模拟结果显示这只腔压力敏感系数为31.1 Hz/kPa,洛伦兹力系数为-0.41Hz/(MV·m~(-1))~2。腔体的调谐范围达到±177kHz,足够补偿腔体可能的频率偏移。腔体的机械性能满足腔体正常运行的要求。     

应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统

正应用材料公司Applied Varian VIISta 9003D系统成为集成电路芯片生产中先进的电流离子注入设备,该系统专为2x纳米以下节点的Fin FET和3D NAND工艺流程而开发,具有超凡的控制能力,可以帮助高性能、高密度的复杂3D器件实现器件性能优化,降低可变性,提高合格率,是应用材料公司在精密材料工程领域的又一重大突破。VIISta 900 3D系统能有效提高离子束角度精度和束线形状准确度,并且还能够出色地控制离子     

（e, 2e） Investigations of the Simultaneous Ionization and Excitation of Helium to He＋（n=2）

Three-Coulomb-wave method is employed to treat the process of （e, 2e） simultaneous ion- ization and excitation to the n=2 state of helium, with radial and angular correlated wave-function of He target. The triple differential cross sections are calculated and analyzed in very asymmetric coplanar geometry at incident energies of 5.50, 1.50 and 0.57 keV. Results are compared with the absolute measurements and the theoretical first and second Born approximation. The present triply differential cross section （TDCS） is found to be in good agreement with experimental data qualitatively. The distinguishing feature noted in TDCS structure is the presence of intense recoil peak that for certain parameters is even larger than the binary peak, an unusual feature for the single-ionization process at high and intermediate energies.     

研究类氦原子基态能量的参数微扰法

考虑了类氦原子中电子对核的屏蔽效应,建立了含有屏蔽效应参数的哈密顿算符,并应用微扰理论研究了类氦原子基态能量.通过参数微扰法计算的类氦原子一级近似基态能量与变分法得到的能量完全相同,比无参数微扰法计算的能量更加接近实验值.参数微扰法为研究多电子原子能级和原子能级精细结构提供了一种新的方法.     

抽真空获取1.8K超流氦方案分析以及真空泵抽速的预测

低温地面支持系统(CGSE)是专为AMS-02国际合作科学实验项目开发研究的低温地面支持和冷却系统,该系统要完成将AMS-02超导磁体从环境温度到1.8K的冷却过程,超流氦(HeII)的获得是其重要环节。文中针对抽真空获取HeII的方案进行了比较详细的分析和计算,同时针对此方案给出了其物理过程的T-s图、流程简图和实现该过程的主要设备。最后针对此方案,对真空泵抽速进行了预测,这将对后续阶段真空泵的选型具有指导意义。     

SOI技术及其设备

介绍了SOI技术的特点和制造方法、超薄SOI技术,应变硅SOI技术及其设备,如大束流专用氧离子注入机。     

单晶金刚石p型和n型掺杂的研究

超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。     

应用射线束制备可见光响应的TiO2薄膜

 由溶胶-凝胶法制备了TiO2薄膜. 为了改善TiO2对光的利用效率,采用过渡金属离子(V+和Cr+)注入和电子束辐照沉积贵金属纳米颗粒(Ag和Pt)两种射线束技术对TiO2薄膜进行改性. 紫外-可见光谱表明,两种射线束技术改性的TiO2薄膜的吸收光谱都发生了红移,说明这两种方法都是拓展TiO2吸收光谱的有效手段. 通过光催化降解甲基橙实验,比较了两种方法对TiO2可见光光催化能力的拓展情况,结果表明,两种方法均可显著提高TiO2在可见光作用下的光催化活性.     

正电子冲击下氦电离三重微分截面的理论计算

我们发展了一种正电子碰撞原子电离的畸变波Born近似方法, 在这个方法中,正负电子偶素通道通过一个ab initio的光学势附加到入射粒子和靶的相互作用势上,且通道对电离作用被第一次被考虑在正电子碰撞原子电离的过程中. 应用这个方法计算了在50 eV入射能量范围氦的电离的三重微分截面,计算结果和实验数据很好的符合.