用离子束辅助沉积对Si进行金属化

本文用ＩＢＡＤ－ＰＶＤ复合方法在单晶硅上制备了Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化层，研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响，获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化膜，界面结合强度可达３１ＭＰａ。     

内燃结构氢氧合成氧化不均匀的原因及对策

从流体力学和传热学的角度，分析了在口径氧化炉中，采用内燃结构进行了氢氧合成氧化，造成硅片氧化层厚度不均匀的原因。并根据流体力学和传热学的原理，提出了解决这一问题的方法－设计了扰了流隔热装置。     

小面积PN结的光电特性

用Ｐ型硅材料制作了小面积ＮＰ结光电二极管，测试了二极管的光电特性．若按杂质扩散区的受光面积计算，在同样的光照下，小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的１００倍以上．究其原因，在于杂质扩散区周边一个少数载流于扩散长度范围内，光生载流子对光电流的贡献．因此，当杂质扩散区为一个点时，光敏感区的面积趋于恒定值πＬ，有效光吸收区体积趋于（ＺπＬ）／３．     

多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用

采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅（ＰＳ），这种ＰＳ的微结构为纳米量级的，并具有光致发光特性，这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析，提出了这种ＰＳ发光的物理机制：纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用，从量子力学的薛定锷方程出发，用沟道势阱的近似模型，推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒，ＰＳ的有效带宽Ｅ＝Ｅ＿０＋ΔＥ，对于Ｓｉ（Ｅ＿０＝１．１２ｅｖ）。完美地解释了目前在ＰＳ研究中的ＰＬ谱的篮移现象。     

Ti—Si沸石表面吸附物种的TPSR—TPD研究

氯丙烯在不同催化剂表面上吸附的ＴＰＤ结果表明在ＴＳ－１上有三重附峰，而在ＴｉＯ２／Ｓｉｌｉｃａｌｉｔｅ上仅有单峰，Ｈ２Ｏ２或分子Ｏ２在催化剂表面吸附后，在脱附物种中可用质谱检测到原子Ｏ（１６）物种；说明Ｈ２Ｏ２或分子Ｏ２在样品表面存在解离吸附；并发现解离子分子Ｏ２的活性很低，ＴＳ－１能同时吸附内烯和Ｈ２Ｏ２，而在ＳｉＯ２／Ｓｉｌｉｃａｌｉｔｅ表面的吸附却与吸附顺序有关，环氧化活性顺序如下：ＴＳ－１     

Sm^＋2／Sm^＋3掺杂铝基玻璃光纤的光敏特性研究

用２Ｗ爽线输出功率的氩离子激光器照射Ｓｍ＾＋２／Ｓｍ＾＋３掺杂铝硅基玻璃光纤能产生０．００５１％的永久性折射率变化，通过测量ＬＰ１１模截止波长偏移能检测该光纤的光敏特性，同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带，钐掺杂光纤光敏特征是由多光子增强的Ｓｍ＾＋２离子消感应吸收过程所致。     

A Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Mirror with Silicon on Insulator for Wavelength 1.3μm

A concrete two-dimensional photonic crystal slab with triangular lattice used as a mirror for the light at wavelength 1.3μm with a silicon-on-insulator （SOI） substrate is designed by the three-dimensional plane wave expansion method. For TE-like modes, the bandgap in the Г-K direction is from 1087nm to 1559nm. The central wavelength in the bandgap is about 1.3μm, hence the incident light at wavelength 1.3μm will be strongly reflected. Experimentally, such a photonic crystal slab is fabricated on an SOI substrate by the combination of EBL and ICP etching. The measurement of its transmission characteristics shows the bandgap edge in a longer wavelength is about 1540 nm. The little discrepancy between the experimental data and the theoretical values is mainly due to the size discrepancy of the fabricated air holes.     

ZK—4、NaANaHS3种沸石的铝化

用高温气－固相置换法对ZK－4、NaANaHS3种沸石进行铝化。组成分析、尾气分析、X射线衍射、晶体形貌分析、红外光谱和^29Si高分辨魔角固体核磁结果表明，3种低硅铝比沸石铝化后骨架可能存在Al-O-Al键。     

圆形振动膜ZnO压电微传声器的研制

本文介绍了一种新型圆形振动膜ZnO压电微传声器的制备，并对传声器制备的工艺过程进行了较为详细的描述。圆形振动膜的压电传卢器与以前方形振动膜结构设计相比，较大幅度提高了传声器的灵敏度和成品率，灵敏度达到-70dB（相对于1V／Pa），成品率达到80％。