微电子机械系统技术与蓬勃发展的光纤通信

硅微机械技术是一种新兴技术，它几乎影响着每一个科学技术领域，如汽车、移动通信、航天、化学以及光波系统。目前许多工业领域期待选用微／纳电子机械系统来解决技术上的问题。概括地说，是用标准的集成电路技术实现的。用硅晶片作基底沉积多层膜系，如氮化物、多晶硅、氧化物和各种金属膜系，用制造集成电路的方法可以制造复杂的三维结构。然而，这种结构并不是集成电路，还要通过蚀刻去氧化物释放器件以生产出能运动的结构。在制作工艺上做细微的改变就能生产可运动的器件，诸如旋转齿轮、铰链、平台和柔性梁以及各种类型的电机。在光纤通信应用方面，微电子机械系统(MEMS)技术可制作各种组件，如数据调制器，可变襄减器、光开关、主动均衡器、插／分复用器、光学连接器、色散补偿器、全光开关、可调谐激光光源，有源元件和自适应光学元件。本文描述了用现有的标准制造设备制作出的光通信用的各种微电子机械光学元件。     

最快晶体管的频率接近太赫兹

Robert J.Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器(EDFA)的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时,发现了一个有趣的结果:一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个     

Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature

Hydrogen-free silicon nitride （SiNx） films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance （MW-ECR） plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm.     

纳米压印光刻技术

为了避免纳米压印光刻技术与光刻技术混淆，纳米压印光刻技术严谨的专业术语定义是：不使用光线或者辐射使光刻胶感光成形，而是直接在硅衬底或者其他衬底上利用物理学机理构造纳米级别的图形。这种纳米成像技术真正地实现了纳米级别的图形印制。     

铁铝催化体系催化丙烯酸丁酯聚合

研究了Fe(acac)3-Al(i-Bu)3-8-羟基喹啉(acac=乙酰丙酮)催化体系催化丙烯酸丁酯(BA)聚合，考察了聚合规律，用凝胶渗透色谱研究了聚合物分子量和分子量分布．动力学研究表明聚合反应对单体浓度呈一级关系，表观活化能为13．9kJ／mol．     

优化移动多媒体传输链的功耗

消费者对于移动多媒体的需求是毫无疑问的，满足这些需求的技术已经开发成功，对于设计人员而言，剩下的问题就是如何利用这些技术，并将成功的产品带入市场。本文将讨论如何减省移动多媒体设备内关键元件的功耗，此外也会对现今移动多媒体设备设计人员所面对的工程挑战作出概括的分析，并就目前及新涌现的硅技术，提出可克服这些工程挑战的解决方案。     

基于LCoS芯片的微型电视系统设计与实现

介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用，重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式，可以简化系统电路设计，降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时序控制和音频电路等方面的特点，并给出了相关电路的设计方案。     

多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

制备AI／多孔硅／c-Si／Al结构的多孔硅发光二极管，利用其I-V特性关系，以及在不同温度下其I-V特性的变化，结合多孔硅的特殊微结构及性质，分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程；通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化，解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合．是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。     

Analysis and Simulation of S-shaped Waveguide in Silicon-on-insulator

The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively.