多孔硅发光机制的分析

从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应，推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了ＰＳ光致发光的实验现象。     

600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管

６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...     

Si／Ag／Si和Si／Au／Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究

本文利用透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）对ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｕ／ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件，分形的形成可用随机逐次触发形核和生长（ＲＳＮＧ）来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散，Ｓｉ分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ：Ｓｉ：Ｈ膜中存在部分较大的Ａｇ晶粒凸出膜面。     

慢性氟中毒大鼠肝细胞线粒体的体视学研究

慢性氟中毒大鼠肝细胞线粒体的体视学研究郑淑芳，张瑞祥，郑纪宁，刘胜张乃鑫，章鸣放，王晓燕（承德医学院，承德０６７０００）（天津医学院，天津３０００７０）慢性氟中毒不仅损伤牙齿，骨骼等硬组织，而且还损伤许多软组织和器官￣［１］，其中，肝脏的损伤已日益受...     

钽／硅多层膜在550℃退火后的局域扩散反应

钽／硅多层膜在５５０℃退火后的局域扩散反应卢江，李凡庆，陈志文，谭舜，陆斌，张庶元，王路春，李齐（中国科技大学结构分析开放实验室，合肥２３００２６）（南京大学物理系）多层膜提供了一个具有大量界面的扩散、晶化、固相反应的系统。本文研究了在５５０℃退火后...     

Mo／Si多层膜界面离子束处理及TEM观察

Ｍｏ／Ｓｉ多层膜界面离子束处理及ＴＥＭ观察薛钰芝Ｒ．Ｓｃｈｌａｔｍａｎｎ，林纪宁Ａ．Ｋｅｐｐｅｌ，Ｊ．Ｖｅｒｈｏｅｖｅｎ（大连铁道学院，大连１１６０２２）（荷兰ＦＯＭ原子分子物理研究所）软Ｘ射线多层膜（ＭｕｌｔｉｌａｙｅｒｓｆｏｒＳｏｆｔＸ－ｒａｙＯ...     

动态分频器技术

本文介绍了动态分频器的基本原理；详细叙述了动态分频器电路及其主要工艺技术；综述了国外动态分频器的发展动态。     

硅直接键合工艺对晶片平整度的要求

本文用弹性力学近似，给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小洞的关系，并用Ｘ射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。