溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究

利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键 关键词： 溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 VO2膜转换特性     

高压热处理对氧沉淀低温形核的影响

研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀,表明高压有利于小直径氧沉淀的生成.电学性能测试表明,高压下处理的样品其热施主生成浓度和生成速率远远高于常压下处理的样品,这表明热施主与低温热处理过程中生成的高浓度氧沉淀核心有密切的关系.     

硅音频电路的发展与应用

简要介绍硅音频系统所采用的压缩格式、记录媒体和版权保护技术。     

光激励和光检测微型硅谐振器研究

分析了光激励谐振器振动的检测问题，用调制激光束激励谐振器使其发生振动，并采用光学干涉的方法测量了这种微振动。     

电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响

本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10~(14)cm~(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显减小,特征频率f_T基本不变,而功率增益G_p稍有增加.用多数载流子去除效应讨论了辐照后这些参数的变化和性质.     

Pregelation Behaviour of Coagulation Processes with the Constant-Reaction-Number Kernel

We propose an irreversible binary coagulation model with a constant-reaction-number kernel, in which, among all the possible binary coagulation reactions, only p reactions are permitted to take place at every time. By means of the generalized rate equation we investigate the kinetic behaviour of the system with the reaction rate kernel K（i;j） = （ij）^w （0 ≤w〈1/2）, at which an i-mer and a j-mer coagulate together to form a large one. It is found that for such a system there always exists a gelation transition at a finte time to, which is in contrast to the ordinary binary coagulation with the same rate kernel. Moreover, the pre-gelation behaviour of the cluster size distribution near the gelation point falls in a scaling regime and the typical cluster size grows as （to - t）-1/（1-2w）. On the other hand, our model can also provide some predictions for the evolution of the cluster distribution in multicomponent complex networks.     

美国投资600万美元预计5年完成硅基激光器研制计划

美国麻省理工学院(MIT)在美国政府国防部的支持下,已着手进行一项硅基激光器和纳米光子系统的研究.最初,该项目预计3年完成,研究经费为360万美元(281万欧元),目前期限又增加2年,研究经费增到600万美元.     

国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

本文报道了国产ＨＶＭ３５０９微波炉硅堆的设计、关键制造工艺和研制结果．