非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究

利用原位Ｘ射线衍射技术得到非晶调制多层膜Ｎｂ／Ｓｉ中的互扩散系数与退火温度的关系，调制周期Ｌ＝３.２ｎｍ的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的．温度范围为４２３—５２３Ｋ的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到．利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系．建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词：     

纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究

本文提出的一种纹膜结构单硅片微麦克风，采用了硅微机械技术，且实现了麦克风电容两电极之间的自对准，大大提高了麦克风的生产效率，降低了成本．纹膜结构有降低和消除膜内应力的作用，而纹膜的三维结构使麦克风电容的有效面积有所增加，这些都显著地提高了麦克风的灵敏度，是该项新结构的关键．本文从理论和实验上对纹膜结构机械性能与结构尺寸参数之间的关系，及结构的优化进行了研究．通过对制作出的不同结构参数ｑ值的麦克风的测试，得到了与初步理论分析基本相符的实验结果．实验证明，纹膜结构具有比相应的平膜结构高得多的机械灵敏度和麦克风     

Mg_(0.15)Zn_(0.85)O:Tb合金薄膜的阴极射线发光性质研究

采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。     

单根硅纳米线等离子激发色散关系的测量

等离子激发是了解材料的电子态性质的一个窗口。电子能量损失谱是研究材料内等离子激发的一个极好的实验工具[1] 。常见的电子能量损失谱主要是通过研究等离子激发的能量和强度来分别确定材料内部价电子的体密度和样品的厚度 ,比较少的是关于等离子激发能量与散射角度的关系的研究[2 ] ,即物理意义上的等离子激发的色散关系。色散关系和材料的维度及电子与电子的相互作用有关[3 ] ,故研究低维材料激发态的色散关系是一个十分有意义的工作。我们在这里报导测量单根硅纳米线等离子激发色散关系的初步工作。我们选择硅纳米线作为实验体系是因为…     

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

微振动光电检测与数据采集系统的设计

提出了一种新的光学非接触式测量方法测量了物体的微振动振幅。用激光作为光源,以四象限硅光电池[1]作为光电探测器,借助三角测量原理,投射在振动源表面的激光反射光束在光电探测器上产生平面位移,将位移信号放大,通过A/D模块采集电压数值,并通过串口通信机制在PC终端实时显示。实验结果表明,该方法原理正确,灵敏度高,便于实现连续、快速、自动化检测,在工业在线检测方面具有良好的应用前景。     

Origin of the 420 nm Absorption Band and Effect of Doping Fluorine in PbWO4 Crystals

The electronic structures for three types of PbW04 (PWO) crystals, the perfect PWO, the PWO containing lead vacancy (PWO-Vpb) and fluorine doped PWO crystal (F^-：PWO), are systematically studied within the framework of density functional theory. The computational results show that the Pb 6s state situates below the valence band so that Pb^2 ions are unable to trap holes forming Pb^3 or Pb^4 to compensate for VPb^2-. The hole-trappers in PWO-Vpb are O^2- ions. Two of the longer-bond O^2- ions share a hole forming O2^3-, and four of the longer-bond oxygen ions trap two holes forming an associated color centre [O2^3--Vpb-O2^3-], which may be the origin of the 42Onto absorption band. It is also concluded that the doping of F^- would reduce the band gap and F^- ions substituting for O^2- can effectively restrict the formation of [O2^3--Vpb-O2^3-] and weaken the 42Onm absorption band and hence enhance the scintillation property of PWO.     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.