电子封装中激光封焊工艺及性能研究

研究了激光封焊中光子激发电子发生跃迁的能量转变及传递过程与工艺参数之间的关系,并分析了外壳吸收能量与熔深、工艺参数之间的联系。结果表明,随着熔深的增加,能量呈指数形式衰减,到达封焊临界点后,封焊终止。通过改变激光波形、功率、脉宽、速度、频率和离焦量等工艺参数,可以控制焊材的电子跃迁和能量传递过程。合理控制熔融时的金属蒸气、熔池宽度和深度,从而对封焊裂纹、气孔和烧蚀等缺陷进行有效控制,以达到气密性和机械可靠性试验要求。     

底镀层对陶瓷封装芯腔表面高温变色的影响

研究了Ni底镀层和不同Co含量的Ni-Co合金底镀层对陶瓷封装芯腔镀金层表面抗高温变色能力的影响。420℃、15 min的高温考核表明:w(Co)超过10%以上的Ni-Co合金底镀层,对陶瓷封装芯腔表面抗高温变色能力明显优于纯Ni底镀层。镀层中w(Co)超过10%以上时,抗高温变色能力并不会随着Co含量增加而提高,仅随底镀层厚度的增加而明显增强。因而在陶瓷封装中,采用厚度大于4 mm的、含Co 15%左右的Ni-Co合金,代替Ni作为底镀层是可行的。     

陶瓷封装电路键合引线冲击应力下的短接判定方法

高可靠集成电路普遍采用陶瓷封装。但是陶封电路内部的空封结构易导致键合线在受到外界机械冲击后引起相邻键合线短接。因此在设计阶段对键合线的选择、布线布局设计、键合工艺参数优化以及封装后的引线抵抗外界应力的能力显得尤为重要。在高速摄像机摄像和电学判定组合方法的基础上,提出一种改进型的键合线短路判定方法。该方法实时对所有被测CQFP228封装的FPGA电路端口进行判定。试验证明,该方法可以大大提高判定评估准确率,降低判定步骤。     

基于信号/电源完整性的3D-SiP陶瓷封装设计

通过3D集成技术实现电子产品的小型化、高密度、高性能,已成为一条重要的技术途径。为了实现某型号数字信号处理系统的小型化,采用上下腔、3D叠层的气密性陶瓷封装结构,基于产品的信号/电源完整性对陶瓷封装进行了设计。运用Cadence Release16.3及SIwave5软件对其电性能进行了仿真分析,并根据仿真结果对封装设计进行优化,使封装的信号/电源完整性符合产品设计要求。最终研制生产的产品测试结果与仿真结果吻合,验证了封装电设计的合理性。     

基于激光封焊与胶接的大封闭腔体气密技术

分析并指出了常规气密性焊接技术的缺陷,提出了一种基于激光封焊与胶接的大封闭腔体气密性密封技术。通过气密性试验、对比试验和高低温冲击试验可知,试验件的气密性能为8.6×10-3 Pa·cm³/s。采用新型组合工艺的腔体盖板在外界气压变化较大时几乎不发生变形,未出现凹陷、鼓包、焊缝裂纹或漏气等失效形式。该技术还具有可扩展性,可显著提高大封闭腔体的耐压性和气密性,有利于未来电子设备的集成化设计。     

军用方舱气密性在“三防”中的应用研究

本文以军用方舱为研究对象,探讨军用方舱气密性在“三防”中的应用及相关问题。首先结合现代社会中战争方式与武器的发展情况对其进行了简要概述;主要介绍了军用方舱三防的防护原理;并以此为基础,透过舱体合拢时缝隙的处理、舱门与孔口缝隙及锁孔泄漏的处理、空调与通风孔口的处理等方面分析了军用方舱的气密性设计。希望能够通过本文初步论述可以引起更多的关注与更为广泛地交流,从而为该方面的理论研究工作与应用实践工作提供一些有价值的信息,以供参考。