芯片封装用电子结构材料的现状与发展

综述了芯片封装用结构材料的现状及市场需求。展望了该材料的今后发展趋势。     

高压容器耐压及气密性试验检测系统的设计

在高压下使用的压力容器、阀门等产品，制成后需进行耐压试验和气密性试验以保证产品在工作压力下不泄漏。为此，研究设计了一套可采取自动和手动两种控制方式，对高压容器等产品安全地进行耐压、气密性试验的充气系统，及可在气密试验压力下检测漏率值的真空检漏系统。     

基于平行缝焊工艺的AuSn合金焊料封盖技术研究

为了解决聚合物粘结电路的质量与长期可靠性问题,提出了一种采用平行缝焊工艺对AuSn合金焊料熔封器件进行封盖的新方法。通过对平行缝焊工艺的深入研究,解决了该类器件封盖的气密性与外观质量问题,从而找到了一种有效解决熔封外壳组装的低温聚合物粘结电路水汽含量、抗剪强度、键合强度控制的新方法。     

DC—12GHz GaAs微波单片集成开关

本文介绍了全气密陶瓷封装GaAs MMIC开关的设计方法和制造工艺.研制成的GaAsMMIC单刀单掷开关在DC-12GHz频带内,插入损耗为0.3—1.4dB,隔离度为19—27dB,反射损耗大于11dB,开关速度小于1ns,8GHz下功率处理能力大于25dBm.     

镀金盖板上的绿激光标识技术

镀金盖板广泛用于军品集成电路的气密性封装中,其表面标识通常采用油墨移印工艺,但油墨移印的标识在筛选或考核过程中有时存在部分脱落的风险,造成鉴定难以通过。在镀金盖板上的绿激光标识技术,不仅解决了镀金盖板标识脱落的问题,而且解决了高可靠集成电路镀金盖板表面标识产品序列号的工艺难题。激光标识后的样品,顺利通过了按GJB548B要求进行的温度循环、热冲击、耐溶剂和盐雾等可靠性试验。对镀金盖板的激光标识区域进行了电镜扫描和解剖分析的结果表明,标识区域镀金层成份和金层厚度基本没有变化。     

超小型SMD石英晶振XT23和XT35

XT23和XT35是频率范围达12～25MHZ的新款超小型SMD石英晶振。XT23和XT35分别采用3．2mm×2．5mm和5．0mm×3．2mm的陶瓷封装，能够实现更小的终端产品。这两款器件的高度均为0．8mm。此次发布的器件具有宽工作频率和小尺寸，在＋25℃下的频率容差为±30×10^-6,是PDA、GPS单元、MP3播放器、笔记本电脑、PCMCIA卡和蓝牙通信设备的最优选择。     

动静态气密性分析方法及其在动车组上的应用

随着运行速度的提升, 高速动车组受到的外部激扰愈发剧烈. 尤其是动车组通过隧道和在隧道内交会时, 车体外表面产生的剧烈瞬变压力传入车厢内, 会引起司乘人员耳感不适等问题. 为研究动车组运行过程中的气密性能对车内气压波动和乘客乘坐舒适度的影响关系, 本文采用动静态测试结合的分析方法, 结合时间常数模型和当量泄漏面积模型, 通过在不同车辆内外部布置气压波动监测传感器, 对四级修前后的高速动车组进行了线路运行气动载荷测试; 针对不同部位具体结构特征开发了不同型式的气体泄漏量测试工装, 并对不同车辆的静态气密性进行了测试研究. 搭建了动静态气密性能分析模型并获得了动静态气密指数, 总结了隧道条件、运行速度等因素对车内压力波动和动态气密性能的影响规律, 同时针对典型气密部件的泄漏量和泄漏面积进行了分析, 对气密敏感部件进行了影响度排序并提出了优化方案. 本文提出的方法和相关研究数据对于关键部件的设计方案和修程修制优化具有一定的参考意义.      

某陶封FP结构器件功能失效分析及解决措施

针对国产陶封FP结构器件再流焊接工艺助焊剂残留导致功能失效问题,进行原因分析、故障复现,确认了失效机理。根据失效机理提出了两种改进方案,进行了环境试验验证,试验结果证明方案有效,对于提高该类产品的可靠性具有一定的参考价值。     

硅基密封气密性及结构强度研究

探讨了硅基气密性封装的可行性,将电镀镍-金镀层的柯伐盖板、密封区金属化的硅基板用金锡焊料片通过熔封形成密封。硅是一种脆性材料,在硅基气密性密封结构中,需要研究气密性封装腔体大小对结构强度的影响(规律),以及可承受的压力。试验结果表明,腔体小于11 mm×27 mm时(腔体高度不限),350μm厚度的硅基板可直接与柯伐盖板密封,密封结构中的硅基板不会碎裂且可承受至少0.1 MPa的压力。     

ST推出两款新的防潮RF功率晶体管

正意法半导体推出两款新的防潮射频(RF,radio-frequency)功率晶体管,以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性。这两款50VRFDMOS器件的封装腔内填充凝胶,以防止裸片发生电迁移现象,例如银枝晶迁移。这是标准陶瓷封装受高温、偏压和潮湿结合影响的情