长期贮存对气密性封装的影响研究

密封微电子器件在对可靠性要求较高领域占有绝对的地位,为了研究长期室内自然贮存对密封微电子封装性能的影响,对贮存在北京某研究所库房的多种气密性封装微电子器件进行试验分析。运用破坏性物理分析(DPA)方法检验样品的密封性、内部形貌、键合强度和芯片粘贴强度等,总结出长期贮存对气密性封装器件封装性能影响的结论;并根据密封性测试结果对器件分组,分别得到密封合格与不合格产品长期贮存后封装性能的实测数据,对密封性能对元器件贮存可靠性的影响进行研究,为元器件的筛选和贮存提供借鉴。     

倒装焊器件封装结构设计

倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚(焊球、焊柱、针)、盖板(气密性封装)或散热片(非气密性封装)等组成。文章分别介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封装结构的影响。低温共烧陶瓷(LTCC)适合于高频、大面积的倒装焊芯片。大功率倒装焊散热结构主要跟功率、导热界面材料、散热材料及气密性等有关系。倒装焊器件气密性封装主要有平行缝焊或低温合金熔封工艺。     

高密度高可靠CQFN封装设计

文中阐述了高速、高性能集成电路所需高密度、高可靠的表面贴装型陶瓷封装,讨论了多层高温共烧陶瓷工艺如何设计与塑料封装QFN完全兼容。结合0.50 mm节距CQFN72外壳设计,就如何解决CQFN封装的散热、高频电性能、薄型封装的气密性和结构强度,以及封装电路的二次组装中助焊剂清洗不彻底、焊接层/焊点有空洞和桥连短路、焊点难检查和返工困难等问题进行了论述,为高密度、高性能、高可靠封装提供了新的封装结构和技术途径。     

气密性半导体器件无损检漏误判探讨

本文对器件无损检漏中的误判提出了有效的回避方法,对提高器件可靠性有一定的实际意义。     

陶瓷外壳芯腔表面变色原因分析

采用SEM和EDX对主要的陶瓷封装外壳生产工艺阶段的芯腔表面进行了形貌观察和成分分析.XPS分析证实,是Ni在芯腔表面形成氧化镍导致了变色.提出了在室温储存和高温老炼条件下造成外壳芯腔表面变色的两种模型.     

微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践——微波器件封装之一

总结了微波器件金属陶瓷外壳的电性能设计理论和实践成果,给出了研制微波器件金属陶瓷外壳的基本流程及设计要素;详细介绍了用于微波器件外壳设计时电容、电感、特性阻抗、延迟等参数的计算公式;根据多年的实践经验,给出了几种行之有效的改善外壳电性能的结构和模式;最后就技改项目、研究装备、外壳所需的基础材料的研究开发和生产、高新技术产业化等问题提出了建议.     

NXP采用塑封技术组装射频功率晶体管

近日,NXP半导体推出峰值功率为2.5-200 W的模制塑封(OMP)射频功率器件。塑封射频器件较陶瓷封装成本更低。NXP半导体射频功率产品部主管Mark Murphy表示,与陶瓷封装比,OMP可以减少20%的材料成本。     

气密性检测设备PLC控制系统设计

在燃气的配送过程中需要有高质量的管道、调压器阀体等设备以保证其配送的安全有效。气密性检测设备PLC控制系统就是在此应用背景之上提出来的。本文在充分分析气密性检测设备工作原理和流程之后,得出PLC控制系统设计要求。用STEP7-Micro/WIN并采用顺序控制梯形图的设计方法实现了PLC程序的设计。实际联调结果表明了所设计的PLC控制系统的正确性和可行性。     

基于PLC控制的气密检测装置的设计与实现

现代工业中,气密性检测是一项重要的安全检测,直接决定了产品的合格率。本文介绍一种采用PLC控制方式,利用压差检测和温度等效补偿等措施,推导出等效泄漏的方法,设计开发了一种高效、便捷、自动化程度高的气密检测装置。实验结果表明,该装置测试精度高,性能稳定。