IC高密度陶瓷外壳串扰对信号完整性的影响

在高密度陶瓷封装外壳设计中,遇到的包括单信号线的延迟、反射和多信号线间的串扰等噪声问题,以及电源完整性问题,这些问题都严重影响整个电子系统性能的信号完整性。基于高速电路传输线的信号完整性相关基本理论,通过测试和仿真的方法来研究传输线间近端串扰和远端串扰问题。对大规模集成电路外壳CQFP240M进行串扰测试分析,利用仿真软件CST建立微带线和带状线模型,仿真、测试分析相邻传输线间串扰大小的影响因素。根据仿真结果,提出降低串扰的方法,优化设计,提高传输结构性能。     

元器件与组件

正用于E级工业电源的功率晶体管该1 3.6 M H z R F功率晶体管STAC 250V2-500E具有市场领先的稳定性和高功率密度(power density),采用热效率(thermally efficient)极高的微型封装,可用于大输出功率的E级工业电源。STA C250V2-500E的负载失匹率     

3DA511型脉冲功率晶体管

3DA511是用于L波段脉冲输出的大功率晶体管，该器件可工作于宽脉宽、大占空比、宽温度范围并且能通过输出VSwR为3：1的射频条件。低热阻和自动压线技术确保了高可靠性和一致性。3DA511采用了气密金属／陶瓷封装和输入输出阻抗内匹配技术。     

VLSI高密度封装的热性能研究

本文提出了用热试验塑封功率管作加热和测温元件的热阻测试方法。通过对标准不锈钢样片的实验测试和理论计算,验证了该测试方法的可靠性。实验测试了五种高密度陶瓷封装在不同功耗、不同测试面积等各种情况下的稳态和瞬态热阻,并进行了具体的分析、比较和讨论。通过计算机数值模拟,结合实验给出的结论,提出了实用可靠的简便热阻计算方法。同时用TVS-5500红外热像仪对几种高密度封装的主散热面进行了热测试和热分析,并对其动态特性进行了研究。     

微电子陶瓷封装的金属化技术

由于陶瓷具有优良的综合特性，被广泛用于高可靠性微电子封装，而多层陶瓷的金属化技术是微电子陶瓷封装的关键技术之一。本文介绍了多层陶瓷共烧工艺技术，开展了3种不同粒度的W粉与陶瓷的匹配烧结试验及金属化强度测试，首先通过W粉粒径分布测试，确定了3种试验w粉的粒度；其次进行了收缩率匹配实验，确定3号W粉与陶瓷A的匹配性最好，平均翘曲度为0．005，2号W粉与陶瓷B的匹配性最好，平均翘曲度为0．008；最后测试了金属化抗拉强度，3种粒度的W粉金属化层都能与陶瓷B形成好的结合强度。实验表明，合理的W粉粒度选择有利于提高金属化与陶瓷的匹配烧结质量及金属化的可靠性。     

高可靠大功率微波电路封装研究

本文叙述了高可靠大功率微波电路的封装设计及工艺研究情况。     

金属─玻璃封接管壳漏气的失效分析

金属管壳是集成电路封装中的一种重要形式，其气密性是一项重要的考核指标。国内复杂结构金属外壳的气密性问题没有解决。本文结合一种产品进行了失效分析，结果表明玻璃熔封和玻璃—金属结合区的质量是影响气密性的关键因素。要解决气密性问题应提高玻璃粉的质量，改进熔封工艺，增加金属的预氧化工序。     

LED用白色反射材料和陶瓷封装技术

概述了LED用白色反射材料和陶瓷封装技术.     

提高多芯片微波模块气密性的研究

伴随着现代微电子技术的高速发展,在一些特殊环境条件下使用的各种微波模块,需要进行密封封装,以防止器件中的电路因潮气、大气中的离子、腐蚀气氛的浸蚀等引起失效,采用气密性封装以延长器件的使用时间。密封的实现方式根据具体要求采取不同的措施,对于密封要求相对较低,可以采用锡封的方式实现;对于密封要求相对较高的,可以采用平行封焊的方式实现。影响平行缝焊质量的有诸多因素,盖板与平行缝焊的关系是相当重要的,在壳体性能稳定的情况下,盖板质量的好坏直接影响着器件的气密性,盖板和管壳之间的匹配、工艺参数的设置、电极表面的状态等对平行缝焊的质量都起着重要的作用。