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51.
购买一部只能满足特定测试项目要求的仪器的时代已经一去不复返。目前对信号源提出的关键要求是满足多种需要的多功能以及可避免过早淘汰的可升级能力。理由是:可供多个项目使用的仪器能节省经费,尤其是在通信业的技术变化的步伐日益加快的情况下更是如此。HP公司市场开发工程师ReneeCherolis指出,由于我们需要获得更高的传输速率、更保密的通信和其它业务,因而迫切需要新的通信系统和相应标准。这是一个不断发展的过程,因此,测试这些新设备和新系统的信号源必须能易于升级,以便在未来仍然能发挥作用。许多最近推出的…  相似文献   
52.
本文介绍了毫米波段铁氧体移相器环棒的特点,给出了1966年以来国外报导毫米波移相器的实验数据及参考文献。同时对国内开展这项工作提出了有益的建议。  相似文献   
53.
用以下方法对放大器进行模拟测试,所需要的仪器有场强仪、75-7电缆、电视机、分支器等,使用的信号源从前端机柜的监测口取出,如果要求信号电平高可接放大器调整,各频道输出电平近似相等。1单个放大器的模拟测试电路如图1、图2所示。图1单个放大器模拟测试图2同时比较多个放大器  相似文献   
54.
55.
针对5G毫米波通信,研制了一种双极化有源相控阵天线模组。厚度为2 mm的多层PCB正面印制阵列天线,在其背面集成多通道波束成形芯片,通过中间层实现天线与芯片的互连以及供电、控制等。测试结果表明,研制的板状4×4双极化相控阵模组在E面和H面均实现了不小于±40度的波束扫描范围(不大于3 dB的电平下降)和低于-18 dB的归一化交叉极化电平,在24~27.5 GHz的频率范围内实现了V极化和H极化分别为42.6~45.7 dBm和43.5~46.1 dBm的等效全向辐射功率(EIRP)。  相似文献   
56.
为实现第五代移动通信技术(5G)毫米波阵列天线的多波束扫描,提出了一种基于基片集成同轴线(Substrate Integrated Coaxial Line, SICL)的宽频带毫米波多波束阵列天线。多波束阵列天线主要包括基于SICL的宽频带毫米波罗特曼透镜和基于SICL馈电的宽频带磁电偶极子天线,罗特曼透镜腔体采用平板波导结构,移相段采用非色散结构SICL,设计了一种平板波导透镜腔体和SICL移相段的宽频带匹配结构实现宽频带罗特曼透镜。采用SICL耦合馈电的宽频带磁电偶极子天线作为多波束阵列的辐射单元,易于直接与基于SICL的罗特曼透镜连接使用,可实现宽频带波束扫描。基于此设计了一种7个波束端口、9个阵列单元的宽频带多波束阵列天线。仿真结果表明,该罗特曼透镜的-10 dB阻抗带宽约为42%(20.5~31.5 GHz),磁电偶极子天线的-10 dB阻抗带宽约为45%(20.5~32.5 GHz),组成的多波束阵列天线在20.5~31.5 GHz(约42%)频带内可实现±30°的波束扫描,天线结构简单紧凑、剖面低、易集成且能实现宽频带波束扫描,适用于5G毫米波通信。  相似文献   
57.
为了满足毫米波5G信号采集传输控制系统中对前端射频芯片的控制以及5G数据到上位机的高速传输的需求,设计了一套基于FPGA的高速采集系统。实现了基带数据的高速传输,测试结果验证了设计方案的可行性。该系统可允许用户通过PCIe总线访问FPGA中的用户配置寄存器,同时该系统可对前端射频产生的不高于4 GB/s的连续或非连续上行数据进行实时采集,同时可以将上位机中的下行数据以不少于4 GB/s的速率写入FPGA侧的DDR4。  相似文献   
58.
本文设计了一款毫米波宽带超表面MIMO天线。基于特征模分析设计了宽带超表面天线单元,从而使其组成的MIMO天线具有宽带特性。为了改善天线的隔离度,在天线单元之间引入了金属化通孔以及隔离金属条带。天线整体仅使用了一层介质基板,通过同轴探针进行馈电,结构简单且易于集成,具有低剖面的优点。仿真结果显示,在21.3~31GHz(37%)频段内,天线匹配良好,隔离度不低于20dB,并且带内最高可实现增益可达8.1dBi。  相似文献   
59.
针对航天领域遥测系统设备地面测试阶段需要模拟多种信号,以完成地面模拟试验,设计了一种基于FPGA和千兆以太网的高精度多通道模拟信号源。该信号源以FPGA作为系统的核心控制器,通过千兆以太网接收上位机传输的指令来控制信号的输出,实现了65路0~5V、10路0~28V、8路-15~0V可调直流模拟电压输出、2路TTE网口信号输出和16路RS422数字信号输出。该信号源结构设计简单合理,配套上位机能够对直流电压信号进行幅值设定和精度补偿,能够达到输出幅值精度优于0.01%,同时能够配置数字信号的帧格式和数据内容,能够兼容HDLC、PCM等多种数字协议。试验表明,系统能够实现所需信号的高精度可靠输出,并且具备极高的兼容性,目前,该信号源已经成功应用于某数据采编存储器的地面联试实验。  相似文献   
60.
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射。芯片面积为2.1 mm×1.1 mm。在片测试结果显示,在24.25~29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm。  相似文献   
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