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一、抗脉冲性噪声的VL-Digital电路
一般的PWM变换电路如图1所示的那样,因电压比较器对三角波和模拟输入信号的瞬时值进行比较,当输入信号比三角波的电平高时电压比较器的输出为1(高电平),当输入信号比三角波的电平低时输出为0(低电平), 相似文献
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提出了一种RS-485接口实现方法,它采用单片机内置的比较器和I/O(输入输出)驱动来实现RS-485数据收发。大量实测表明,该方法可靠性高,可省略专用的RS-485接口芯片。该技术已被应用于多个批量化产品中,取得了良好的经济效益。 相似文献
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提出一种在启动电路中使用比较器配置的带隙基准电压源,解决了带隙基准电压源由于使用双极型晶体管而存在的潜在启动失败问题.该带隙基准电压源通过启动电路的比较器来正确判断启动和关闭点以保证电路启动到理想的工作点,并在电路启动后正常关闭启动电路以缩减功耗消耗,同时避免了其它启动电路存在的问题:引起电路抖动或者求助一些系统中很少使用的上电复位信号等.该带隙电压基准电路提供0.9V的带隙基准电压时,可以工作的电压范围和温度范围分别是1.2V~3.6V和-40~110℃,而且该输出电压在给定的电压和温度范围内仅有5%的变化. 相似文献
95.
96.
文章简要介绍了DM10kW发射机振荡板工作原理,同时对该板出现的故障进行了分析处理。 相似文献
97.
98.
提出了锁存器半稳态发生概率(MSS)的优化公式,引入半稳态发生概率相关因子γ,给出了锁存器PMOS与NMOS管宽长比之比及加速电容与γ的相互关系。同时,采用交流小信号频域分析法,对高速比较器中的锁存器的宽长比进行了优化,给出了锁存器的最佳宽长比,以使半稳态的产生机率达到最小。两种方法优化的结果相一致。 相似文献
99.
SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。 相似文献
100.