一种高速高精度CMOS电流比较器

针对传统电流比较器速度慢,精度低等问题,提出了一种新型CMOS电流比较器电路。我们采用CMOS工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了仿真,结果表明当电源电压为3V,输入方波电流幅度为0．3uA时,电流比较器的延时为5．2ns,而其最小分辨率仅约为0．8nA。该比较器结构简单,速度快,精度高,适合应用于高速高精度电流型集成电路中。     

多通道逐次逼近型10 bit 40 Ms/s模数转换器的设计

设计了一个多通道逐次逼近型结构的10 bit 40 Ms/s模数转换器(ADC).由于采用时间交叉存取技术,提高了整个芯片的转换速度,同时通过运用比较器自校准和电容自校准结构,提高了整个电路的转换精度.本芯片采用Chart 0.25μm2.5 V工艺,版图面积为1.4 mm× 1.3 mm.40 MHz工作时,平均功耗为33.68 mW.输入频率19.9 MHz时,信号噪声失真比(SINAD)为59.653 3 dB,无杂散动态范围(SFDR)为74.864 6 dB.     

CMOS音频功率放大器的旁路电压控制电路

基于CSMC0．5umCMOS工艺设计一种带滞回功能的高稳定性电压控制电路,利用迟滞比较器对旁路电压和基准电压进行比较并控制电容的充放电,提高了电压的稳定性。Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的电压稳定性高,功耗低,且其滞回功能能有效抑制噪声。与普通的旁路电压控制电路相比,具有更高的稳定性和抗噪声能力,可广泛用于各种功率放大器内部。     

基于FPGA的材料缺陷测量信息处理方法的研究

针对交联聚乙烯(XLPE)材料经CCD模块输出信号的特点,应用FPGA进行数据处理,以提高XLPE杂质检测的精确度和速度.模拟信号经A/D转换后输入至FPGA,经阈值计算单元,比较器单元和数据封装单元实现了材料杂质信息及其位置信息的有效提取.给出了仿真结果,验证了该方法的实时性和准确性.     

一种基于多输入单电子晶体管的比较器电路

基于多输入单电子晶体管(SET)的Ⅰ-Ⅴ特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由18个互补型SET和1个双栅极SET构成的1位比较器电路结构.该比较器优点为:利用一个双栅极SET的固有特性,使异或逻辑块得到了简化,减少了晶体管的数目;电压兼容性好,输入和输出高低电平都接近0.02 V和0 V;静态总功耗低(6.42 pW).仿真结果验证了电路的正确性.     

一种用于峰值电流模式的锁存比较器设计

设计了一种宽输入共模范围的比较器,用以处理高端电流检测中大共模信号的问题。通过采用预放大器和锁存器结构,优化了传输延时,提高了电路的分辨率及工作速度。基于0.5μm工艺,采用Cadence软件对电路进行仿真。结果表明,该电路可以处理轨到轨的共模输入电平,其最大可处理共模输入电平可跟随输入电压变化。当开关电源频率为1 MHz时,比较器电路的分辨率达到0.1 mV。     

一种单片集成式光-频率转换芯片

介绍了一种单片集成式光-频率转换芯片,给出了流片芯片的测试结果。芯片内部光电二极管产生随光强变化的光生电流,积分电容将其转换为电压信号,当电压达到比较器阈值时,比较器翻转,振荡电路振荡,光强被转变为频率信号。采用0.6μm 2P3M工艺进行了流片,实现了芯片在三端封装条件下的正常工作,芯片尺寸为1.8mm×1.7mm,光敏区面积为850μm×850μm,非线性小于1%,暗电流小于1Hz,输出信号占空比为50%,芯片最高输出频率为1MHz。     

应用于14bit SAR ADC的高精度比较器的设计

基于预防大锁存理论,设计了一款带有三级前置运算放大器和latch再生电路的高精度比较器.为了实现高精度,采用了输入失调储存(IOS)和输出失调储存(OOS)级联的消失调方法,有效降低了比较器的输入失调电压.传统的比较器动态失调测试方法非常耗时,为此采用新的带负反馈网络的动态失调测试电路,从而大大提高了比较器的设计和仿真效率.Hhnec CZ6H(0.35μm)工艺下,仿真表明,比较器能够分辨的最小信号为33.2μV,满足14 bit SAR ADC对比较器的性能要求.     

工作时钟1GHz超高速电压比较器设计

超高速模数转换电路是现代高速通信和信号处理电路中的重要组成部分,而超高速比较器的设计是超高速模数转换器设计中的关键环节.文中通过综合考虑比较器的传输延时和失调电压等因素,讨论了超高速比较器的设计方法,并在基于1.8V电源电压、TSMC0.18μm CMOS工艺下设计了一个工作时钟为1GHz的超高速电压比较器,经过芯片测试,证明该比较器可以在1GHz时钟下稳定工作,失调电压仅为70μV.该比较器可以用于超高速模数/数模转换器的设计.     

基于动态参考的超低功耗动态PWM比较电路

提出了一种具有动态参考功能的高灵敏度、超低功耗PWM比较电路。该电路采用动态参考和多路径正反馈动态比较器,使连续的输入信号比较后生成一串离散数字信号,逻辑处理后转成占空比变化的脉冲。基于65 nm CMOS工艺,在1.2 V电源电压、200 MHz时钟频率下,对该电路进行了验证。结果表明,该电路的整体延迟时间有所增加,平均电流为5.958 μA,分辨率为800 μV。功耗仅8.1 μW,为传统静态PWM比较器的5.2%。