DM 10kW数字调幅中波发射机振荡板原理简介及相关故障处理

文章简要介绍了DM10kW发射机振荡板工作原理,同时对该板出现的故障进行了分析处理。     

基于0.6μm BCD工艺的迟滞电流模LED驱动芯片设计*

基于0.6μm BCD工艺设计了一种高转换效率的迟滞电流模控制的白光LED驱动芯片。该驱动器可工作在6~40V电源电压下,其最大输出驱动电流可达1.0A,最大开关频率可达1MHz,输出电流误差小于?5%,转换效率大于80%。文章重点介绍了芯片内部影响输出电流精度的高侧电流检测电路以及高速比较器的设计,并给出了所设计的迟滞电流模白光LED驱动器的相关仿真和测试结果。     

一种带曲率补偿的高精度带隙电压基准源

本文提出了一种带运放失调电压补偿结构和分压式二阶曲率补偿结构的低温度系数带隙基准电路。设计目标为对便携设备提供0.8V的电压。基于华虹CZ6H工艺在CADENCE软件TT模型下仿真,仿真结果表明,带隙基准电压源在-40℃-120℃温度范围内温度系数仅为1.77×10-6/℃,电源抑制比(PRSS)在低频下为86.9dB。在3V-6V的电源电压工作范围内,输出电压摆幅为0.171mV。     

高速锁存器半稳态发生概率的分析及优化

提出了锁存器半稳态发生概率（MSS）的优化公式,引入半稳态发生概率相关因子γ,给出了锁存器PMOS与NMOS管宽长比之比及加速电容与γ的相互关系。同时,采用交流小信号频域分析法,对高速比较器中的锁存器的宽长比进行了优化,给出了锁存器的最佳宽长比,以使半稳态的产生机率达到最小。两种方法优化的结果相一致。     

工作时钟1GHz超高速电压比较器设计

超高速模数转换电路是现代高速通信和信号处理电路中的重要组成部分,而超高速比较器的设计是超高速模数转换器设计中的关键环节.文中通过综合考虑比较器的传输延时和失调电压等因素,讨论了超高速比较器的设计方法,并在基于1.8V电源电压、TSMC0.18μm CMOS工艺下设计了一个工作时钟为1GHz的超高速电压比较器,经过芯片测试,证明该比较器可以在1GHz时钟下稳定工作,失调电压仅为70μV.该比较器可以用于超高速模数/数模转换器的设计.     

低功耗SAR ADC的高性能比较器综述

目前逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)已经成为低功耗数模混合集成电路中模数转换器的首选架构,其中的核心模块—高性能比较器的功耗大小直接决定了SAR ADC的整体功耗。文章从低功耗SAR ADC系统出发,聚焦高性能低功耗电压域和时间域比较器的发展历程与最新研究进展,总结了通过优化SAR逻辑实现低功耗比较器的技术方法。该综述为数模混合电路设计者了解并掌握SAR ADC中高性能低功耗比较器技术提供有力参考。     

低失调二阶曲率补偿的带隙电压基准源设计

基于斩波运算放大器的曲率补偿CMOS带隙电压基准源电路,采用了折叠式的一阶放大器,较二阶结构线路简单,功耗低,版图面积小,并能很好地满足增益要求.采用二阶电流补偿进行曲率补偿,使带隙电压基准源能达到更好的温度系数,且系统稳定.应用0.5μm CMOS Spice模型进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真,输出电压为1.17V,在-20℃至120℃温度下,温度系数为4.7ppm/℃.该基准电压可根据工艺和内部电阻元件选取的不同获得不同电压值,其温度范围能够满足实际工作环境的需要.     

应用于MEMS惯性器件的高精度Σ-△调制器

为了实现微电子机械系统(MEMS)惯性器件的高精度数字化输出,设计了一款单环5阶Σ-△调制器.利用Matlab在系统级完成了Σ-△调制器的结构设计,确定调制器为带有零点优化的级联积分器前馈(CIFF)结构,并在Simulink中完成了调制器非理想模型的建立.在电路设计时,调制器整体采用全差分的开关电容电路来实现.为了降低整体调制器的噪声,在第1级积分器中加入了斩波稳定模块,并采用了具有低回踢噪声的动态比较器作为一位量化器.本设计在0.18 μm BCD工艺下实现,工作电压为5V、采样频率为500 kHz、过采样率为128时,调制器的功耗约为4.25 mW,有效位数为19.06 bit.     

Microchip推出带片上单触发校准电路的运算放大器

美国微芯科技公司宣布推出全球首款业界带mCal片上校准电路的运算放大器（运放）系列新品。利用内部上电复位检测器在上电时,或者根据外部引脚的状态,该片上校准电路可对失调电压进行校准,从而为设计人员提供了较低的初始失调电压,以及最大限度地降低随时间和温度而产生的电压漂移。