基于比较器的四值电流型CMOS加减电路设计

该文通过对电流型CMOS电路的阈值控制引入了多值电流型比较器。与2值逻辑电路相比,多值逻辑电路的单条导线允许更多的信息传输。相较于电压信号,电流信号易实现加、减等算术运算,在多值逻辑的设计上更加方便。同时提出了基于比较器的4值基本单元设计方法,实现了4值取大、取小以及反向器的设计,在此基础上设计实现了加法器和减法器。该设计方法在2值、3值以及n值逻辑上同样适用。实验结果表明所设计的电路具有正确的逻辑功能,较之相关文献电流型CMOS全加器有更低的功耗和更少的晶体管数。     

一种GHz高频应用的低失调高速CMOS动态比较器

提出了一种由改进的前置差分运算放大器和差分式锁存器构成的高频、高速、低失调电压的动态比较器。前置预差分放大器采用PMOS交叉互连的负载结构,提升差模增益,进而减小输入失调。后置输出级锁存器采用差分双尾电流源抑制共模噪声,改善输出级失调,并加速比较过程。采用一个时钟控制的开关晶体管替代传统复位模块,优化版图面积,在锁存器中构建正反馈回路,加速了比较信号的复位和输出建立过程。采用65 nm/1.2 V标准CMOS工艺完成电路设计,结合Cadence Spectre工艺角和蒙特卡洛仿真分析对该动态比较器的延时、失调电压和功耗特性进行评估。结果表明,在1.2 V电源电压和1 GHz采样时钟控制下,平均功耗为117.1 μW;最差SS工艺角对应的最大输出延迟仅为153.4 ps;1 000次蒙特卡罗仿真求得的平均失调电压低至1.53 mV。与其他比较器相比,该动态比较器的电压失调和高速延时等参数有明显优势。     

基于分段电容阵列的改进型逐次逼近型ADC

为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR)ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数字码,并利用180 nm CMOS工艺实现和验证了此ADC结构。该结构一方面可以缩短产生高位数码字过程中的转换时间,提高量化速度;另一方面其可以延长大电容的稳定时间,减小参考电压的负载。通过缩小比较器输入对管的面积以减小寄生电容带来的误差,提升高位数字码的准确度。同时,利用一次性校准技术减小比较器的失配电压。最终,采用180 nm CMOS工艺实现该10 bit SAR ADC,以验证该改进型结构。结果表明,在1.8 V电源电压、780μW功耗、有电路噪声和电容失配情况下,该改进型SAR ADC得到了58.0 dB的信噪失真比(SNDR)。     

基于CAM的雷达信号实时预分选硬件实现

CAM(内容可寻址存储器)是一种快速匹配存储器件,在通信、雷达等许多领域有着广泛的应用。在介绍CAM基本原理的基础上,例举了一种基于CAM实现关联比较器的设计方法,通过仿真验证了设计的正确性,基本上实现了雷达信号的纯硬件快速预分选,达到了实时性和可靠性要求。     

地震自动触发装置的研究

地震来临时，为能及时进行核电站核地震应急紧急处置，需要稳定可靠的地震触发技术实现核岛控堆，地震触发功能实现主要采用加速度传感器AC-73和触发器进行组合来实现核岛控堆功能，通过对加速度传感器输出信号进行实时检测，设计频带 1Ｈｚ~10Ｈｚ带通滤波电路实现信号抗干扰，采用迟滞比较器等抗扰动措施保证装置的稳定性核可靠性，经过一个 月拷机测试，未出现误触发动作，该技术能稳定可靠的实现地震触发报警，具有实际应用的价值。     

ZT-G1kW-Ⅲ全固态中波广播发射村继电器控制板故障两例

文章简要介绍ZT-G1kW-111全固态中波广播发射机继电器控制板工作原理，同时对该板出现的故障进行了分析处理。     

TS3011：电压比较器

意法半导体推出较佳电流消耗与响应时间比率的高速电压比较器TS3011。意法半导体的高速电压比较器适用于要求极快速响应时间的产品设备，如数据通信设备，还适用于音频放大器的脉宽调制器或示波器和模数转换器的输出缓冲器。     

适用于DC-DC开关电源的振荡器设计

应用于手机等通信电子产品电源系统的DC-DC开关电源变换器芯片,要求具有高性能的振荡器。鉴于此要求,设计了一款具有充放电电容的高性能振荡器。该振荡器基于0.5μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件,在芯片系统典型应用环境下仿真,得到的内同步振荡频率为794 k Hz,外部EN同步振荡频率为1 MHz到2MHz;在VCC=5.5 V,0~125℃温度范围内振荡器的频率偏移在6%以内。仿真结果显示,该振荡器性能良好,适用于DC-DC开关电源。     

双极型电压比较器的强电磁脉冲效应

基于大电流注入法(BCI),利用瞬态脉冲产生器模拟强电磁脉冲在双极型电压比较器中产生的耦合电流,观测到输出信号在注入瞬态大电流后的波形变化,包括占空比变化及脉冲衍生等。从基本电路原理方面分析了实验现象的产生机理,以及注入电流幅值、电路偏置等因素对双极型电压比较器强电磁脉冲效应的影响。     

厂商动态

ROHM正式进军CMOS运算放大器、比较器市场;Ramtron将FRAM技术引进主流存储市场;普源精电示波器三大指标实现突破;IDT：专攻时钟、搜索引擎和PCle;NXP细分机顶盒系列解决方案。