微库仑法测定硫注意事项

根据微库仑法测定硫的基本原理和仪器本身的特点，分析了微库仑法测定硫时，电流、磁场、温度、气体流量、滴定池、电解液等因素对测定结果的影响，探讨了影响机理，提出了应注意的事项。     

采用遗传算法由电流环的近场测试识别辐射源

针对电大尺寸的电流环,通过遗传算法找到最佳等效基本辐射器.采用EMSCAN电磁干扰扫描系统进行电流环的近磁场测试,从而作出远场预测,并与仿真结果和半电波暗室的测试数据相比较.     

Temperature and metal composition dependence of lateral photovoltaic effect in Al-Alq3/SiO2/Si structures

A series of Al=-（Alq3）l-x granular films is prepared on Si wafer with native oxide layer using co-evaporation technique. Large lateral photovoltaic effect （LPE） is observed, with an optimal LPV sensitivity of 75 mV/mm in x=0.35 sample. The dependence of LPE on temperature and A1 composition is investigated, and the possible mechanism is discussed.     

带电粒子在复合场中的运动分析

从运动的合成与分解的角度,运用初等数学方法,得出带电粒子以任意角度射入任意夹角的匀强电场和匀强磁场中的速度和位移的表达式,并讨论得出特殊情况下的类平抛运动、不等距螺旋运动、匀变速直线运动和速度选择器模型.     

用类比法引入电磁能量

在大学物理教学中，通过类比法定义电容与电感系数，基于电势差与功之间的关系引入电场能量和磁场能量的表示，从而给出静电场与静磁场能量密度的表达式。     

利用毫秒脉冲星测量太阳风的电子密度和磁场

阐述电子密度十分多变，采用毫秒脉冲星作为线偏振辐射源，由于其周期短，因此可以同时测量电子密度和法拉第旋转量，从而计算出太阳的磁场，提高磁场计算的准确性。     

不均匀垂直磁场中偏压AA堆积双层石墨中的朗道能谱

本文从量子力学的基本概念出发,在对称规范变换下,借助特殊函数方程理论,研究了不均匀磁场和垂直电场联合作用下AA堆积双层石墨的朗道能级结构.结果表明该体系中的朗道能级是高度简并的,特别是在狄拉克点处,而且该体系中偶然简并的零能朗道能级能够被垂直电场有效地调控.     

超薄屏蔽层300 V SOI LDMOS抗电离辐射总剂量仿真研究

本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上.