“碳化硅功率半导体技术”专题前言

半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。     

加湿器外壳逆向工程与3D打印的应用

本文以加湿器外壳为例,通过一系列教学认识和操作,让学生对现代化技术产生充分的认识和兴趣,促进学生的积极和创新能力。     

基于STC12C5A60S2自动太阳能跟踪器的设计

在此阐述了利用光敏电阻寻找直射太阳的原理,以STC12C5A60S2为控制核心,设计了一种自动太阳能跟踪器。太阳照射情况通过太阳能电池板4边上的4个光敏电阻测得,经过放大后输送到单片机,在单片机内由软件进行分析计算,得出电池板需要偏移的方向和角度,最后通过2个伺服电机对电池板左右和上下偏移进行控制,从而提高了转化效率。     

相位校正器粘接局部应力控制技术

通过理论分析,对相位校正器的镜面与支撑结构间的粘接建立模型进行仿真研究,提出了在相位校正器镜片上加工小圆柱,使其粘接应力由镜片本身转移到突出部位的小柱子上,有效改善了相位校正器镜面局部粘接应力,使镜面局部高阶像差得到缓解,并通过试验验证了其有效性。     

盐酸伊达比星杂质A的合成工艺优化及其高效液相分析

通过对盐酸伊达比星脱羟基杂质A的合成研究，为盐酸伊达比星的质控标准提供参考。以盐酸伊达比星为起始原料，经过4步反应得到脱羟基杂质A。本文提供了盐酸伊达比星杂质A的制备方法以及高效液相色谱分析方法，为杂质含量控制提供了依据。该工艺可以稳定、快速制备高纯度脱羟基杂质A，制备总收率为57.20%，纯度为57.20%，其结构经¹H NMR， ¹³C NMR和MS(ESI)表征。     

一种基于untiy 3D的裸眼立体游戏开发方法

随着经济的发展,精神生活和物质生活的提高,人们对视觉影像要求越来越高。在电影和电视产业中应运而生诞生了立体成像技术。目前立体成像技术主要以佩戴眼镜等设备为主,其弊端在于会给佩戴者带来不舒适的感觉。为了解决佩戴眼镜所带了的一些列问题,诞生了裸眼3D技术。本文通过使用untiy3D建立游戏模型,在游戏中设立虚拟摄像机制作多视点游戏画面,再通过裸眼3D显示器显示出8视点裸眼3D画面。通过这个方法可以实现动漫游戏的裸眼3D立体显示效果。