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71.
本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术.该技术包括利用PECVD法在腐蚀硅片背面沉积400~800nm厚的非晶硅膜,再经过650~680℃温度的热处理,使沉积膜与硅片结合更牢固,之后,把硅片进行抛光.结果表明,该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷,同时硅片表面层少子寿命可提高2~4倍. 相似文献
72.
73.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
74.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
75.
Abstract
In this note, we consider a Frémond model of shape memory alloys. Let us imagine a piece of a shape memory alloy which is
fixed on one part of its boundary, and assume that forcing terms, e.g., heat sources and external stress on the remaining
part of its boundary, converge to some time-independent functions, in appropriate senses, as time goes to infinity. Under
the above assumption, we shall discuss the asymptotic stability for the dynamical system from the viewpoint of the global
attractor. More precisely, we generalize the paper [12] dealing with the one-dimensional case. First, we show the existence
of the global attractor for the limiting autonomous dynamical system; then we characterize the asymptotic stability for the
non-autonomous case by the limiting global attractor.
* Project supported by the MIUR-COFIN 2004 research program on “Mathematical Modelling and Analysis of Free Boundary Problems”. 相似文献
76.
77.
利用Riccati变换求解同谐谐振子的定态薛定谔方程,求得了能谱及态函数
关键词:
同调谐振子
本征值谱
Riccati变换法 相似文献
78.
79.
80.