部分电容和杂散电容

本文从点电荷电位公式及叠加原理出发,导出带电导体系的格林互易定理,然后详细地讨论了部分电容和杂散电容的概念,旨在使从事电子技术的教师同行们和优秀的学生,正确理解这两个概念。     

三维频域格林函数的高效率计算方法

将高斯积分引入频域格林函数及其导数的数值计算,计算结果与已有文献进行对比,证明该方法在满足足够精度的基础上,使计算过程简化,减少分区,提高计算效率.     

纳米MOS器件的设计模型

几十年来,MOS器件一直遵循摩尔定律不断发展,对于缩小到纳米尺度的MOS器件,量子效应更加突出。研究纳米尺度MOS器件的物理问题,以及适用于纳米MOS器件的设计已成为当前微电子领域重要研究内容。本文简要介绍和评述了纳米MOS器件的设计模型．并对基于非平衡态格林函数以及薛定谔方程和泊松方程自洽解的器件模型应用进行了举例说明。     

声表面波射频标签的快速有限元/边界元分析

改进了漏波近似体波格林函数的快速有限元/边界元法,并应用该声表面波射频标签的分析.Peach提出漏波近似体波格林函数的理论但其方法需要经验公式计算漏波参数,该文提出了不需要经验公式的改进方法.该方法根据不同衰减的漏波在空间域不同分布的原理,在空间域格林函数中区分出各漏波的贡献,然后采用数学拟合提取出漏波参数,最后以128°YX-LiNbO3基片为例计算证实了该方法的有效性.采用改进的快速有限元/边界元分析一种声表面波射频标签器件,仿真与实验吻合证明了该方法的精确性.     

具有一层空气隙的矩形微带天线谱域导抗法

对具有一层空气隙的矩形微带天线进行了分析，利用谱域导抗矩阵推导出谱域中的并矢格林函数，利用伽略金法导出了谐振频率的本征方程，并从基片上表面切向电场分量的傅里叶变换直接得出辐射方向图．本文计算出的谐振频率和辐射方向图与其它的理论数值及文献中的测量结果相比较，其一致性很好．     

理想导电凸曲面上振子电磁辐射UTD解的并矢格林函数方法

P.H.Pathak,Wang Nan等人在研究典型问题几何绕射理论之后,于1981年发表了任意导电凸曲面振子天线高频电磁辐射一致性几何绕射理论近似解。本文应用并矢格林函数方法,通过典型曲面高频电磁辐射一致性近似解的研究和推广,导出了理想导电凸曲面上电、磁振子电磁辐射场在高频近似下一致性几何绕射理论近似解。与P.H.Pathak,Wang Nan等人的结果相比,主项并矢转移函数除个别系数外完全相同,高阶并矢转移函数在几何光学区略有差异。     

波导终端缝隙对的分析

在小型波导缝隙阵设计中，采用匹配缝隙是减少终端损失、提高天线效率的关键技术之一。本文给出了矩形波导终端匹配缝隙对的分析。该缝隙对是由波导宽壁上的纵缝和横缝构成的。基于等效原理和并矢格林函数建立了缝隙对的耦合积分方程组，然后作数值求解。计算了缝隙对的反射特性与辐射特性，给出了缝隙对口面电场的幅值和相位以及波导驻波比随缝隙长度和频率的变化曲线。本文的计算结果可用于圆极化波导缝隙阵的设计     

热容模式下LD阵列泵浦Nd:GGG圆盘的温度场分析

为了研究Nd:GGG激光晶体圆盘在热容运行模式下的温度场分布及变化问题,根据实际情况建立物理模型进行了分析.从热传导微分方程出发,通过格林函数法求得激光器工作、冷却阶段晶体内部温度场的解析解,在一定程度上可以反映温度场的变化情况.数值计算了矩形LD光斑尺寸3 cm,泵浦功率8100 W、脉冲频率500 Hz、脉冲宽度0.2 ms条件下泵浦4 s后圆盘的温度场以及变化曲线,得到4 s末的最大应力已经达到晶体断裂极限的47%.采用280 K、290 K的温度分别对圆盘进行背面冷却时,需要60～70 s左右的冷却时间;当采用280 K对圆盘进行背面和侧面同时冷却时,冷却时间缩短到30 s左右.