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金文中 《内蒙古广播与电视技术》2006,23(1):37-42
电路分析中常用的定律和定理(中) 5等效电源定理 常见电源有两类,一类是电压源,一类是电流源,分别如图6-(1)和6-(2)所示。电压源中有恒定的电动势E和内阻r,当其内阻r=0时,称理想电压源。因其内阻为零,根据全回路欧姆定律,无论外接负载大小,它供出的电流怎样变化,其内阻都不会产生压降,所以其输出电压永远是恒定的,为此也称之为“恒压源”。 相似文献
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JD-801形态学图像分析系统是南京捷达公司的产品,所提供的图像处理与分析功适用于生物、医学、材料、化工、冶金等各种需要利用图像分析手段进行形态学测定分析的领域。 相似文献
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动力环境网络监控精细管理 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述动力环境运行质量分析管理,包括故障管理,性能管理和专题分析管理,以动力环境网络监控细致八微、言之有据的月度分析管理实例展现了其精细管理的效果。 相似文献
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本文作者从一个一线技术人员的角度,对路由器数据流的排队机制与操作系统的进程/线程,调度机制进行了关联性分析。全文虽然偏重于技术,但对网络技术人员却有着较大的参考和借鉴意义。[编者按] 相似文献
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以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
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