STM在微细加工中的应用

 已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。     

"电源电动势"教学设计

【教学目的】(1)理解电动势的物理意义．(2)电动势在数值上等于闭合电路中内外电压之和     

用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器

采用电阻率为10000—20000Ω.cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为60mm,耗尽层厚度~1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.     

Numerical Analysis of Alternating-Current Small-Signal Response in Graphene Nanoribbons

Alternating-current small-signal admittances of armchair graphene nanoribbons are investigated using the method of non-equilibrium Green＇s function. The calculated ac admittances show an oscillatory response between inductive and capacitive behaviors, which is a result of the finite length of the graphene nanoribbon. The effects of hydrogen-passivated edges on ac response are demonstrated. At low frequency, the edge effects transform the inductive behavior in a metallic graphene nanoribbon into a capacitive one. Finally, the effects of variations in the width and bandgap of a graphene nanoribbon on its dynamic response are investigated.     

引入电流负反馈后电路输出阻抗变化的测试难点及解决方案

引入电流负反馈会使放大电路的输出电阻变大,这种变化在实验测量时几乎没有出现。我们在分析原因后,提出了一种简单、易行的解决方案,并且对电路参数进行了合理化设计,使实验效果非常理想。     

利用DIS传感器研究通断电自感现象

将DIS传感器应用到通断电自感演示实验中,可直接测量出小灯泡的电流和电压曲线,使学生可以定量的观察实验现象,加深对其对自感现明的理解.     

用于DDR电源及终端的高效率、双通道、±3A同步降压型稳压器符合DDR/DDR2/DDR3标准

凌力尔特公司推出一款高效率、双通道、单片式、同步降压型开关稳压器LTC3618,该器件能够为DDR/DDR2/DDR3及未来需要供应和吸收电流的标准存储器应用产生电源电压和总线终端电压。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的VDDQ电源,该电源能输送±3 A输出。一个内部电阻分压器负责将VTT DDR终端电源和VTTR基准电压设定为等于施加至VDDQIN输入端之电压的一半,并在VTT和VTTR上分别提供了±3 A(供应/吸收)和±10 mA的输出电流能力。VTT输出可在低至0.5 V的电压条件下运作,以支持所有DDR标准。     

高频开关电源电磁兼容性(EMC)设计

高频开关电源因采用脉冲宽度调制(PWM)技术,脉冲波形呈矩形,开关管上升沿与下降沿均包含大量的谐波成分;另外,输出整流管的反向恢复也会产生电磁干扰。开关频率的提高减小了电源的体积和重量,但同时也导致了更为严重的电磁干扰问题,这是影响系统可靠性的不利因素,因而电磁兼容性(EMC)设计日益受到     

CMOS音频功率放大器的旁路电压控制电路

基于CSMC0．5umCMOS工艺设计一种带滞回功能的高稳定性电压控制电路,利用迟滞比较器对旁路电压和基准电压进行比较并控制电容的充放电,提高了电压的稳定性。Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的电压稳定性高,功耗低,且其滞回功能能有效抑制噪声。与普通的旁路电压控制电路相比,具有更高的稳定性和抗噪声能力,可广泛用于各种功率放大器内部。