线缆系统电磁脉冲效应测量系统研制和试验

分析了实验室瞬态X射线产生的系统电磁脉冲(SGEMP)效应测试所面临的技术问题,提出了解决方法、措施以及实验室模拟瞬态X射线的SGEMP模拟试验方法。通过电子屏蔽、电磁屏蔽、光电隔离、信号对称提取等特殊技术处理,解决了SGEMP效应模拟试验方法和测量系统抗X射线、抗电磁辐射等技术问题,并在大型瞬态X射线模拟源上,测出了瞬态X射线辐照时金属腔内线缆的SGEMP效应波形及幅值。     

ITER HTS电流引线批量件验收性测试系统

ITER(International Thermonuclear experimental Reactor)高温超导电流引线(HTSCL)是ITER Feeder PA(Procurement Agreement)中非常关键且具有挑战性的项目,严峻的工作条件以及严格的质量等级要求使得低温测试不可或缺,其出厂前的低温测试也为其验收交付提供强有力的数据保障.本文介绍了高温超导电流引线系列件低温性能测试控制系统的构成及实现,该系统基于CODAC(Control, Data Access and Communication)分布式系统搭建而成,整合了PLC子系统,QDS子系统,interlock互锁子系统,包含数据存贮(Archiving),报警Alarm,用户操作接口(OPI),应用开发SDD,及历史数据浏览(Data browsing)等子功能.实验结果表明,该系统具有控制和测量精度高、使用方便、运行稳定可靠、用户界面友好等优点.     

金属封装内冷型高温复合超导体电磁特性的有限元分析

基于工程化高温超导带材的内冷型复合超导体电磁特性受磁场各向异性影响较大,采用有限元方法分析了内冷型复合超导体的电磁特性。利用COMSOL Multiphysics建立了基于商品化高温超导带材的金属封装内冷型高温复合导体的有限元计算模型,并对其进行电磁仿真分析,得到了内冷型复合超导体的磁场分布,应用高温超导材料在磁场下的Jc-B曲线关系,获得内冷型复合导体在77K液氮温区下临界电流受磁场影响的变化规律。采用电场强度与电流密度进行面积分的方法,计算得到了不同频率、不同通流下内冷型复合导体的交流损耗情况,计算表明,相同频率下交流损耗随激励电流的增大而增大,相同激励电流条件下交流损耗与通流频率成正比关系。     

半导体开关单次超限工作研究

对半导体开关在这种超限条件下的单次使用情况进行了研究,尤其对级联状态多次试验。试验结果显示,额定电流为30mA的半导体开关可以实现单次放电电流达到10kA的稳定放电。通过对放电过程进行分析发现,开关从导通至最终损坏经过了一个比较复杂的物理过程,电路拓扑结构及其开关安装位置都将会对输出性能产生影响。     

高频高变比脉冲变压器耦合固态刚管调制器

调制器输出脉冲宽度存在两种模式,输出脉冲宽度为10μs时,工作频率0~8kHz可调,输出脉冲宽度为200μs时,工作频率0~400Hz可调。为了实现了调制器的小型化,初级电压设计为700V,初级储能电容可采用高储能密度的电解电容,且可降低绝缘栅双极晶体管(IGBT)串联的风险,次级输出电压为70kV,采用变比为100的脉冲变压器。概述其各个组成部分及其工作原理,重点对IGBT固态开关的驱动、保护电路、损耗和吸收回路进行了分析讨论,并对高变比的变压器进行了理论分析。对调制器进行了实验测试,脉冲前沿2.2μs,脉冲后沿1.65μs,过冲小于7%,脉冲顶降小于1%。     

X-pinch负载分流关系研究

研究了X-pinch和回流柱之间的分流关系,以及两个X-pinch之间的分流关系。在X-pinch和回流柱的分流实验中,X-pinch上的电流与回流柱上的电流大体相等,这表明电流分布不只与X-pinch或回流柱的特性有关,而且也与它们所在回路的其他部分有关。在两个X-pinch之间的分流实验中,X-pinch上的电流与X-pinch本身的材料和直径几乎无关,这确认了电流分布与回路中X-pinch之外的部分有关。离绝缘柱远的X-pinch上的电流总是比离绝缘柱近的X-pinch上的电流略大一些,这是并联回路之间的互感造成的。     

电磁发射中固体电枢的磁探针测速误差

对磁探针感应电压的原理进行分析,得出电枢电流变化率是磁探针测量电枢膛内运动位置误差的原因。通过简化,采用理想化的电枢电流波形和电枢位移曲线,不同电枢电流变化率条件下,在Matlab软件中对磁探针测量电枢位置进行仿真分析。结果表明:测量电枢位置误差与电枢电流变化率绝对值正相关,电枢电流变化率相同时,误差与电枢电流和电枢速度的乘积负相关。进一步对磁探针测量电枢膛内速度的误差进行仿真分析,理想电流曲线仿真结果表明:测速误差情况可分为三种,电枢电流变化率相近,则测速误差小,反之则测速误差大。     

PVA栅绝缘层浓度对P3HT有机场效应晶体管性能的影响

采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响。实验结果显示,以质量分数为8%的PVA溶液制备的栅绝缘层具有最好的性能,器件的场效应迁移率为0.31 cm²·V^-1·s^-1,阈值电压为-6 V。进一步分析了PVA栅绝缘层浓度对器件性能提高的原因,结果表明,对于制备溶液化的有机场效应晶体管,选取合适的PVA栅绝缘层浓度非常重要。     

相对论速调管放大器一维非线性理论的数值分析

给出了相对论速调管放大器中归一化调制电流和电子束动能的积分微分方程,基于MATLAB平台编程并采用递推法、中心差分法、梯形积分法等数值计算方法计算了归一化束电流和电子束动能随归一化距离的关系,以及反映电荷守恒的归一化因子。最后计算了调制电流的n次谐波的模式强度随归一化距离的变化。     

Superconducting quantum interference devices with different damped junctions operated in directly coupled current- and voltage-bias modes

We investigate niobium thin film superconducting quantum interference devices （SQUIDs） with different Steward- McCumber parameters βc operated in both current- and voltage-bias modes. We experimentally prove that there is no difference between the two bias modes with respect to the SQUID intrinsic noise and the noise contribution from the preamplifier. Furthermore, the relationships of the SQUID dynamic parameters, （Rd）current bias ≈ （Rd）voltage bias and （σV/σФ）current bias ≈ [σi/σФ）Rd]voltage bias, are always satisfied. For a strongly damped SQUID withβc ≈ 0.25, addi- tional positive feedback （APF） and noise cancellation （NC） were employed to enhance σV/σФ, the former showing a degradation in the linear flux range but otherwise the same with NC. For a weakly damped SQUID with βc ≈ 3, it is di- rectly connected to the preamplifier without APF or NC, and a low SQUID system noise of about 4μФ0/x/Hz is measured, which is close to its intrinsic noise.