多栅GaAs MESFET开关的结构设计

论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证.     

添加剂对PMN—PT基低温烧结MLC瓷料性能的影响

探讨少量添加剂LiF、Bi_2O_3、SiO_2及PbO对Pb(Mg1/3 Nb2/3)O_3(简作PMN)-PbTiO_3(简作PT)基多层瓷介电容器(简为MLC)瓷料某些性能的影响。实验结果表明,适当添加上述化合物将在一定程度上改善瓷料的介电性能。少量LiF的引入可获得烧结温度850℃介电性能良好的MLC瓷料,为采用全银内电极取代Pd-Ag电极创造了条件。     

SrO－La_2O_3／CaO催化剂表面的碱性和催化行为Ⅰ．CO_2－TPD及进料中CO_2对催化行为的影响

添加ＳｒＯ使Ｌａ２Ｏ３／ＣａＯ催化剂的碱性增强及甲烷氧化偶联反应的Ｃ２产率提高，但反应温度随ＳｒＯ含量增加而升高．反应活性高的ＳｒＯ－Ｌａ２Ｏ３／ＣａＯ催化剂，容易被ＣＯ２中毒．催化剂失活的主要原因是表面活性位被碳酸盐覆盖．催化剂失活之前，反应气中添加ＣＯ２可抑制产物中ＣＯ２的生成，提高Ｃ２产率     

基于逻辑查阅表和多路开关库的现场可编程门逻辑的延时优化

早先对ＦＰＧＡ的延迟优化工作主要集中在减少关键路径中各元胞块的级数，但缺少用以控制元胞块增另的有效方法。在ＦＰＧＡ的情况下，所使用的元胞块数量也会在很大程度上影响布线后的最终延迟，因为大多数延迟是由存在的可编程互连所引起的布线延迟。中讨论了两类ＦＰＧＡ即基于查阅表的ＦＰＧＡ和基于多路开关复用器的ＦＰＧＡ的延迟优化，提出了可用于逻辑优化阶段的一种新的延迟优化方法，可以解决元胞块级数的减少与元胞块数     

STN—LCD的新进展

STN-LCD采用新的取向层,消除了残象;采用新的驱动波形,消除了串扰;采用二(口恶)烷、卤化物、链烯基、醚和二苯乙炔,改进了液晶料材的性能,使STN-LCD获得高的对比度、快的响应速度、低的驱动电压;采用有源矩阵驱动方法,消除了帧响应,使STN-LCD获得高的对比度、高的亮度及视频响应速度;使用温度跟踪电路,自动跟踪STN-LCD的阀值电压,使STN-LCD获得宽的工作温度。     

金属表面生成氧化膜在电解质中的电位

测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=E_a⁰+sum from s=1 to 3|η_t,s|-1/(ne)v₇ΔG₇, E=E_c⁰-sum from s=4 to 6|η_t,s|+1/(ne)v₈ΔG₈.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式.     

应用扫描电子显微镜对电沉积Cu／NiCu多层膜结构的表征

应用扫描电子显微镜对电沉积Ｃｕ／ＮｉＣｕ多层膜结构的表征张伟１薛群基１王友良２赵家政１（１．中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑开放室，兰州７３００００２．兰州大学材料系）近年来，由两种不同金属交替构成的多层金属复合膜的研究引起了人们极大的关注。发现...     

生长在GexSi1—x（001）衬底上应变GaAs层的光学性质

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分Ｘ的变化关系，计算结果表明，对所有Ｘ值，ｆｈｃ＝０，ｆＨＣ，ｆＬＣ及ｆＳＣ随Ｘ的变小而变小，ｆＬｃ及ｆＳｃ随Ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使Ｘｘｘｘｘ变小，对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）应