S-Band 1mm SiC MESFET with 2W Output on Semi-Insulated SiC Substrate

介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱n型.欧姆接触用的帽层掺杂浓度约1019cm-3.器件制备采用了ICP刻蚀等技术.微波测试结果表明,1mm栅宽功率器件封装后在2GHz下输出功率达到了2W.     

束变换环孔激光谐振腔的环束场传输差分计算

 通过使用新的坐标变量和光场的表达形式，推导了新坐标系下环束场传输的偏微分方程，给出了相应差分方程的截断误差和稳定性条件，使得环束场传输计算速度大幅提高；使用二阶精度的Crank-Nicolso差分方法对束变换环孔激光谐振腔的环束场传输进行了计算，并与W.D.Murphy和M.L.Bernabe所给M-B积分近似方法的计算结果进行了比较，证实了该方法无论计算速度和精度都优于M-B积分近似方法。     

功率电子管帘栅极的稳定供电

在电子管功率放大器中．当工作信号为峰值时．输出功率管的屏极电流和帘栅极电流都将增大，这会引起相应电路的供电电压下降，其中帘栅极电流的变化又远大于屏极电流的变化。帘栅极电压的降低对五极或集射功率电子管的工作影响很大，     

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

正2014年2月24日,英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350 V器件,再次扩充逆导(RC)软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。与前几代产品相比,RC-H5的开关损耗降低高达30%,使设计人员能够使用IGBT的工作频率高达30 kHz。因此,配备RC-H5的系统效率提高     

FAN3180：低边驱动器

飞兆半导体公司推出了FAN3180，这是集成3．3V输出电压稳压器的单通道2A低边驱动器，可为微控制器或ASIC供电，并为外部半导体开关提供强大的栅极驱动。     

高压输电线路的防雷保护及其绝缘配合探究

电力工程施工过程中,输电线路施工是一个重点,雷电是高压输电线路面临的主要危害之一。文章对高压输电线路防雷保护以及绝缘措施进行分析和探讨,旨在提高高压输电线路运行安全性和可靠性。     

半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜制备与检测

稳定的欧姆接触对半导体器件的正常工作起到至关重要的作用.目前市场上主要采用金/金锗镍合金作为n型GaAs的电极材料,工艺复杂,成本高昂.本文研究了一种新型的、廉价的适用于半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜及其制备过程,以便于读者对半导体器件的制备工艺和流程有所了解.     

层叠Blumlein线多开关导通时间分散性

高介电常数陶瓷储能脉冲形成线需要用到多开关触发的层叠Blumlein线结构。从形成线波过程理论出发，分析了多开关导通时间分散性对层叠Blumlein线及其输出波形的影响。主要包括两方面影响:其一是造成输出方波脉冲的前沿和后沿均出现阶梯形畸变；其二是使得各延迟导通的平行平板Blumlein线承受过电压，容易引起陶瓷储能介质的电击穿。在不单独考虑开关电感的理想情况下，利用PSpice电路程序模拟了开关导通时间分散性对四级层叠Blumlein线的影响，模拟结果与波过程理论分析一致。为减弱这些影响，提出了可行的解决方案。     

混合动力汽车用电池包动态绝缘电阻检测方法研究

基于混合动力汽车高压动力电池安全性的要求,设计一种快速响应动态绝缘电阻检测电路。分析绝缘检测电路的设计原理,分别测试电池包正负高压母线外接不同绝缘电阻阻值时的检测精度。测试表明,该电路测量精度高,在1 MΩ以下的绝缘电阻检测中,误差小于5%,满足实际设计要求。     

介质加载大功率消失模滤波器的设计

针对腔体滤波器低气压下容易发生大功率击穿的难题,提出了一种局部加载介质的消失模结构,可以有效避免滤波器低气压放电。设计了一款X波段宽带大功率消失模滤波器,利用三维仿真工具进行仿真优化,并根据电磁场仿真结果计算低气压击穿功率阈值。对制作的样品进行了性能测试,测试特性曲线与仿真曲线吻合;同时,进行了低气压功率试验,样品通过了300 W低气压(1 000~1 mbar)功率试验。通过该方法设计制作的消失模波导滤波器具有宽带匹配性能良好、Q值高、损耗小和低气压击穿功率阈值高等特点。