真空中氧化铝陶瓷沿面耐压试验

真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约，在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下，绝缘子就出现了击穿现象，即沿面闪络击穿。利用真空绝缘实验装置选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷样品进行表面耐压试验，对不同组分的陶瓷样品的耐压性能比较，并探讨表面处理及测试法对绝缘子表面绝缘性能的影响。     

MRAM技术有望取代DRAM和SRAM

德国国家物理技术研究院（PTB）研发小组进行了一项实验，通过磁性介质以从物理学角度理论上可行的最快速度完成数据的存储和读写。这将有助于使磁阻式随机存取存储器（MRAM）的读写速度赶上相应的电子存储器件。     

MC^2电缆介质结构及阻抗分析

本文将用数学和实验两种方法证实MC～2电缆不仅能保证特性阻抗变化不超出电缆技术规范。而且能保证在设计频率范围内电缆结构反射损耗最小。     

高Q Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质谐振器材料及其在毫米波系统中的应用

叙述了Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质谐振器材料的制备、结构、微波性能及典型应用。Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质材料介电常数εｒ为２９．５，频率温度系数τ≈０（－５５～＋８５℃），１０ＧＨｚ下最大无载Ｑ值１４７００，在２８ＧＨｚ测得Ｑ值约为４８００。这种材料具有高Ｑ值，特别适用于Ｘ以上波段作为振荡器电路中频率稳定元件。用这种介质谐振器已研制出８ｍｍ介质稳频微带耿氏振荡器，频率稳定度小于１０×１０－６／℃，最大输出功率达１８０ｍＷ。     

被Kerr介质包围的J—C模型中光场位相特性

本文应用Pegg-Barnett位相理论讨论了被Kerr介质包围的J-C模型中光场的位相性质。     

一般非均匀凸介质迁移算子本征值的分布

本文讨论一般非均匀凸介质所确定的迁移算子的本征值的分布问题，利用Ｈｉｌｂｅｒｔ空间的Ｈ算子理论，完整地解决了一般非均匀凸介质中迁移算子本征值的分布问题，若｛λｎ｝ｎ＝１＾∞是迁移算子本征值的一种计数，我们证明了Σ↓ｎ＝１↑∞ｅ＾６Ｒｅλｎτ〈＋∞，其中τ是粒子的最大逃逸时间，并对本征值的发散程度以及本征值的个数函数作了相应的讨论。     

“胸电对电子电话机的危害及其预防

本文通过静电对电子电话机危害的实例子分析，说明了静电对电子电话机危害原因，以及在现有条件下如何预防静电对电子电话机的危害。     

用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性

研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论．