下一代光刻开发的进展

虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作，但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展，更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

Ku波段波导型双工器的研制

采用高精度的模式匹配法设计了一种Ku波段波导型双工器。双工器采用H面T接头和E面横向膜片波导带通滤波器。采用该方法设计的双工器精度高，结构简单，便于加工。文中也将理论结果和实测数据进行了比较，两者吻合得很好，证明了模式匹配法的精确性和有效性。     

具有控制项的限定记忆卡尔曼滤波器

在已有的限定记忆卡尔曼滤波器的基础上 ,将确定性先验信息作为控制项加以应用 ,推导出了完整的限定记忆卡尔曼滤波公式 ,从而在记忆长度确定的情况下 ,有效地减小了模型不准的误差 ,降低了滤波总误差。仿真同样表明了该方法的有效性     

基于对地观测激光回波特征的目标特性研究

本文研究了对地观测激光回波特征与地面目标特征之间的关系模型，分析了分类地面目标的激光回波特征，提出一种基于查表法的目标特性计算方法并给出了仿真结果。     

矩量法结合AWE技术分析阵列天线

从工程角度出发,应用AWE技术结合矩量法分析阵列天线的辐射特性。首先采用投量法求解阵列天线的电场积分方程,得到某一频率点的电流分布和输入阻抗;然后通过Pade逼近获得任意频率的导纳,从而得到阵列天线的频率响应;最后针对一六单元八木阵列天线进行分析,给出了天线上的电流分布、输入导纳以及辐射方向图,并对AWE/MOM与MOM的计算结果进行比较,两者比较接近,但AWE/MOM可大大加快计算速度。     

ARIS与企业建模实例

介绍了基于过程的ARIS企业建模、仿真分析工具集。结合ERP项目实例．借助ARIS图形化方式。详细地描述了企业建模全过程。并就一个具体的业务活动作出现状分析。     

高密度互连印制板

本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连印制板的工序和详细方法,意在探寻最为经济、简单而又行 之有效的工艺。     

Epson的业内首款柔性TFT SRAM存储器

SeikoEpson公司（“Epson”）日前宣布开发出业内首款柔性TFT—SRAM（16 kbits）。公司期望TFT—SRAM在未来被用作小而轻的柔性电子器件的关键元件。     

PZT陶瓷的断裂分析

与有限元法相比,无网格法由于只需节点不用单元而在压电分析中具有优越性。采用一个简单的包含有极化反转及电饱和影响的锆钛酸铅系压电陶瓷(PZT)的本构模型,以局部J积分作为断裂准则,应用再生核点法这一无网格数值法导出了作用电场与断裂载荷的关系曲线,该曲线的趋势与Park[1]的实验观察现象一致。计算程序采用面向对象方法实现。