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171.
极值图论与度序列   总被引:4,自引:0,他引:4  
李炯生  尹建华 《数学进展》2004,33(3):273-283
本文简要概述极值图论与度序列的最新研究进展,同时提出了一些有待进一步解决的问题和猜想.  相似文献   
172.
给出了 n元函数极值的一个充分条件 ,并结合矩阵的初等变换建立了 n元函数极值的一种快速判别法 ,最后给出了一个例子  相似文献   
173.
盛兴平 《数学通报》2002,(12):37-37,42
1 引言许多实际问题 ,尤其是方阵的特征值与某些微分方程的求解往往归结为特征方程———一元n次方程根的求解问题 .然而 ,当方程的次数大于或等于四次时其一般解的获得就不那么容易了 .众所周知 ,一元三次方程有求根公式———卡尔丹公式 ,而一元四次方程就没有确切的求根公式 .本文旨在给出一种通过矩阵变换来求一元四次方程根的新方法 .2 引理不失一般性 ,设实系数一元四次方程为 :a0 x4+a1 x3+a2 x2 +a3x +a4=0 (1 )(a0 ≠ 0 ,ai ∈R ,0 ≤i≤ 4)引理 1 记YT =(x2 ,x ,1 ) ,A=a0a1 2 ua1 2 a2 - 2u a32u…  相似文献   
174.
尹建华  李炯生 《应用数学》2002,15(1):123-128
设σ(k,n)表示最小的正整数m,使得对于每个n项正可图序列,当其项和至少为m时,有一个实现含k 1个顶点的团作为其子图。Erdos等人猜想:σ(k,n)=(k-1)(2n-k) 2.Li等人证明了这个猜想对于k≥5,n≥(^k2))+3是对的,并且提出如下问题:确定最小的整数N(k),使得这个猜想对于n≥N(k)成立。他们同时指出:当k≥5时,[5k-1/2]≤N(k)≤(^k2) 3.Mubayi猜想:当k≥5时,N(k)=[5k-1/2]。在本文中,我们证明了N(8)=20,即Mubayi猜想对于k=8是成立的。  相似文献   
175.
实对称正定矩阵的复合矩阵正定性的研究已有结论,但对于一般意义下的正定矩阵的复合矩阵是否仍然是正定的研究需要利用一般的正定矩阵的标准形的复合矩阵进行讨论,给出了一般公式及具体算法,为讨论其复合矩阵的正定性提供了基础条件.  相似文献   
176.
In this paper,we study some permanence and global stability to a nonau- tonomous nonlinear discrete single species system,and obtain some sufficient condition of global stability to the system.  相似文献   
177.
表面细分技术在二维声辐射和声散射中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
把表面细分技术应用于求解边界积分方程,既能把CAD模型直接用于边界元分析,又能精确描述复杂的边界几何形状,实现网格自动加密和形函数自动升阶,满足误差要求。把它应用于简单的二维声辐射和声散射,结果表明对提高边界元方法的计算精度是有效的。  相似文献   
178.
对高能闪光机光源性能用Monte-Carlo方法模拟研究发现:并非击靶电子束半径越小、发射度越低, 闪光机的照相性能就会越好. 研究结果表明:为了使闪光照相图像视面上照射量分布比较均匀, 对束半径与电子束归一发射度有一个联合限制, 对于20MeV闪光机, 如果击靶电子束有效半径是0.12cm, 那么仅当束归一发射度≥550cm.mrad时,在2°内的照射量不均匀性才小于5%.  相似文献   
179.
姜海青  姚熹  车俊  汪敏强 《物理学报》2006,55(4):2084-2091
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS 关键词: 2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜 光学性质 椭偏光度法 荧光光谱  相似文献   
180.
《电视技术》2007,31(1):56-56
KD8000高清矩阵是由本公司自主研发,享有自主知识产权的大型矩阵切换系统。经过各大电视台严格测试及使用,符合高清要求,与同类进15产品比,性价比高。  相似文献   
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