源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.     

固体中光声拉曼效应的理论分析

从非线性波动方程出发，运用准平衡模型以及热弹理论，对固体样品中光声拉曼效应进行理论分析，导出了脉冲激光泵浦下光声拉曼信号的解析表达式，并总结分析了固体中光声拉曼效应的一些原理特性、实验问题和应用价值。     

多模干涉型集成光学器件研究进展

基于自镜像效应(SIE)的多模干涉(MMI)型集成光学器件是集成光学中具有广泛用途的重要器件。本文详细而系统地综述了近几年来MMI器在国内外的研究进展，特别是其在集成光学中的应用。     

基于CCD的激光微位移测量系统研究

介绍了一种基于多普勒效应的可进行动态微位移测量的激光微位移测量系统。该系统以He-Ne激光器为光源,配以干涉系统移动方向判别及分频系统、CCD视频信号的高速动态采集系统、微机处理系统及干涉图处理软件包等。与传统测量方法相比,其精度、灵敏度及稳定性都有较大提高,并实现了微位移的全自动测量。     

浮栅技术及其应用

介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。井对2种应用了浮栅技术的典型器件-浮栅MOS晶体管和神MOS晶体管做了详细介绍，分析了他们的基本结构和工作原理，以及建立浮栅MOS晶体管的等效模型，并说明了他们的应用情况及存在的不足。     

一种简单的S参数去嵌入技术

介绍了在低成本夹具上，任意微带结构二端口网络S参数去嵌入的方法；该方法用于获取放大器模块的S参数，根据这些参数设计的C波段的放大器实测结果与仿真一致。     

光纤激光器的发展现状

激光器问世不久，美国光学公司(American Optical Corporation)于1963年首先提出了光纤激光器和放大器的构思。1966年，高锟和Hockham对光纤及其在光纤通信中的应用提出了划时代的新观点。1970年，光纤的传输特性达到了实际应用的水平，同年也实现了半导体激光器室温下连续工作。这两大科技成果为光纤通信奠定了坚实的技术基础。     

电信运营市场上过度进入的供给分析

本文在分析光纤主干网和本地接入服务市场上电信运营商的供给行为的基础上,首先证明了拥有主干网的运营商愿意租出自己的部分光纤,接着分析证明了上述两市场上使投资更倾向于过度的乘数效应,并进一步证明网络外部性使乘数效应更加明显.旨在对我国电信运营市场发展给出一些参考意见.