连续光电流效应机理的分析

本文综合分析解释了连续光电流效应的几种模型，把它们归为两大类型：速率方程方法和电离模型方法。分析了这些方法的合理性，同时指出其缺陷，为今后的进一步研究提供借鉴。     

通用IC

MicrochiP推出单I/O总线串行EEPROM系列Microchip推出10款具备单I/O总线接口的串行EEPROM器件系列11XX010、11XX020、11XX040、11XX080及11XX160,能支持10kHz～100kHz范围内任意数据速率。新器件能追踪主单片机在     

力调制显微术在台阶边缘附近的边界效应

力调制显微术被用于观测铜基碳化硅样品，实验中发现在样品表面台阶边缘处出现一些异常信息。为此，文章作者通过测试一种表面同样有台阶但却是由同一种材料组成的样品来通信验证这些异常主要是由台阶的边界引起的，并对引起的异常作了半定量的估算。     

颗粒超导体临界电流密度的尺寸效应

假设颗粒超导体内某点临界电流密度是该处磁场强度平均值的某种函数,计算了其实测临界电流密度与样品尺寸的关系.发现对目前实验中所用的烧结样品,实验测得的 YBaCuo超导体的临界电流密度有显著的尺寸效应.     

EMS效应对大pT实光子产生过程的影响

本文讨论了EMS效应对大p_T实光子产生过程的影响.从部份子统计模型出发,用重标度方案确定符合EMC效应实验数据的核内参数;计算了大p_T实光子产生过程的两种显示出EMC效应的截面比.结果表明EMC效应对这种过程的影响不大,在5≤p_T≤10GeV,s=40GeV,对Fe,截面的变化约为～－3%.     

腔场与双原子相互作用的压缩效应

本文应用迭加态方法研究了单、双模腔场与两个二能级原子的相互作用,利用相互作用表象中的薛定谔方程求解了相应的运动方程,并得出在两种情况下自发辐射的压缩的最佳值。