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991.
992.
对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz. 相似文献
993.
994.
995.
996.
本文介绍了作者在获得物理学博士学位以后在一个邮电科研单位工作的情况和体会.由于作者的知识结构及在学校所受的训练,他很快适应了有关的工作并作出了令人满意的成绩.作者所在单位的领导和同志们及作者本人都认为物理类研究生在应用开发研究中是大有可为的. 相似文献
997.
999.
本文讨论了对烷氧基芳羧酸酯类液晶合成中间体对烷基芳醚的酰基化反应,研究发现在乙酰氯和无水三氯化铝作用下,同时存在醚裂解反主尖与酰基化反应,对于醚裂解反应机理进行了讨论。 相似文献
1000.