自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

光刻版图形处理过程的计算机仿真

采用有限状态机模型来仿真集成电路行业中光刻版图形的处理过程,涵括了层次处理、涨缩处理和反转处理。将不同的处理过程定义为相应的状态,将图形处理要求定义为输入条件触发状态转换。该模型已应用于光刻版数据处理的电子设计自动化软件。     

基于超深亚微米IC设计的信号完整性研究

随着工艺尺寸的缩小，IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻。在超深压微米IC设计中，设计的复杂性会导致信号完整性（SI)问题更加突出，从而会影响整个产品的设计周期。本文提出了SI概念以及影响它的因素，并针对其两个主要影响因素，串扰(crosstalk)和IR压降进行了分析讨论，并提出了解决的方案。     

我国信息产业“魂”系知识产权

今天，电子信息（IT）产业已涵盖通信与网络、计算机和软件、集成电路及其元器件、消费类音视频及显示，包括现代服务业等完整的产业体系。在当今世界rr和IC产业价值链中，由于各国基础条件、产业环境不同，特别是核心知识产权掌控力的差异，产业发展呈现了起点不一的阶段和地位。     

深亚微米物理设计的挑战与方法

随着集成电路加工工艺技术向0．18微米或更小尺寸的继续发展，设计高性能的SOC芯片面对越来越大的挑战。几何尺寸越来越小，时钟频率越来越高，电压越来越低，上市时间越来越紧迫，因此设计复杂性迅速增加，互连线和信号完整性问题已成为影响设计成功的主要因素。现有的设计方法遇到了许多新的挑战。为了应对这些挑战，人们展开了深入的研究，提出了许多方法。本文将分析物理设计的挑战，回顾物理设计的方法，比较它们的优缺点，指出它们的适用范围，最后展望深亚微米物理设计的发展方向。     

国半和ARM公布有关PowerWise^TM Interface开放式接口技术标准

美国国家半导体公司与ARM公司2003年10月9日宣布,携手推出一种称为PowerWiseTM Interface的接口技术。两家公司更会进一步合作,推动业界采用这个开放式的接口,作为系统电源管理的标准接口。PowerWise接口技术为数字处理器及电源管理集成电路的连线互通提供一个开放式的业内标准,使便携式电子设备可以迅速采用先进的电源管理解决方案。     

SEM对OCr13不锈钢衬里结构的分析

钨极氩弧焊是在普通氩弧焊基础上发展起来的一种焊接工艺，由于采用了可控的脉冲电流取代了连续电流，因此它特别适用于一些热敏感的金属材料薄板、超薄板构件，也用于薄壁管子的全位置焊接等。本文利用扫描电子显微镜研究了薄板液压支柱中的OCr13不锈钢板衬里焊接参数的基值电流、脉     

大规模定制环境下 ERP 的发展

ERP─EnterpriseResourcePlanning企业资源计划系统 ,是指建立在信息技术基础上 ,以系统化的管理思想 ,为现代企业决策层及员工提供决策运行手段的管理平台。从竞争环境的角度出发 ,提出了大规模定制已经逐渐成熟并最终取代大规模生产成为新的生产经营模式的观点 ,同时 ,分析了在大规模定制下传统ERP的局限 ,从管理和技术的角度探讨新一代ERP的特点及发展。