拍出来的180度全景照片轻松拍

在拍摄风景照片时,我们往往习惯于选择广角镜头,因为可以获得宽广壮丽的画面,不过即便是常见的24mm广角镜头,也无法真正还原现场的真实感受——一张照片无法完全覆盖人眼所及的正面180席画面,好在,我们还有另一个选择一一拍摄全景照片。     

基于表面势的HEMT模型分析

将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。     

基于改进故障模型的CAN总线调度分析

鉴于数据传输总线的诸多优点,建立总线式体制是现代导弹控制系统互联方式发展的必然趋势。CAN总线是一种设计优良的总线,但缺点在于其事件驱动型的协议导致无法建立CAN总线的可靠调度策略。Tindell给出的基于最小间隔故障模型的WCRT调度分析方法在强干扰环境中会导致乐观偏差,因此需要建立一种CAN总线在复杂环境中的更加准确的调度分析方法以指导可靠的系统设计。基于此目的,给出了一种基于广义泊松过程的改进故障模型,并在此基础上建立了CAN总线消息的调度分析。最后将该调度分析应用于导弹控制系统,并分析了对总线调度能力构成影响的因素。     

室内光纤带光缆——长飞光纤光缆（上海）有限公司

产品描述 长飞光纤光缆（上海）有限公司生产的室内光纤带光缆是将光纤带套入高模量材料制成的松套管中,松套管内填充防水化合物。松套管外包覆一层芳纶加强元件,最外挤制一层PVC护套而成。     

室内光纤带光缆——长飞光纤光缆（上海）有限公司

产品描述长飞光纤光缆（上海）有限公司生产的室内光纤带光缆是将光纤带套入高模量材料制成的松套管中,松套管内填充防水化合物。松套管外包覆一层芳纶加强元件,最外挤制一层PVC护套而成。     

本征掺杂环栅MOSFET器件连续表面势电压方程及其在从积累到反型区域的解析解

本文提出了本征掺杂的长沟环栅MOSFET器件的连续表面势方程并讨论了其物理解。这个 方程适用于器件从积累到强反型的工作区域。原始方程通过简化Poisson方程的精确解得到, 然后通过经验修正得到满足连续性条件的表面势电压方程,允许表面电势及其导数由 解析式表示,同时在积累到反型、线性到饱和区域精确连续。基于这个结果,我们对 表面电势和中心电势对器件尺寸的依赖关系进行了分析,并通过三维的器件模拟进行 了验证。     

基于实时分析的网络测量抽样统计模型

由于网络通信量具有自相似性,传统的网络测量抽样方法如均匀抽样、泊松抽样容易与真实数据产生比较大的误差.本文提出了一种基于实时分析的网络抽样统计模型（NMSM）,在数据采集过程中,实时分析样本的变化特征,动态调整采集频率,最好程度的完成数据抽样采集.实验证明,NMSM模型在网络变化比较平稳时,对网络的影响程度最低,在网络变化比较大时,对真实数据的拟合程度最好.     

漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响

结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si_1－βGe_β中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值. 关键词： 应变硅金属氧化物半导体场效应管 漏致势垒降低 二维泊松方程 阈值电压模型     

1998年北京国际马拉松比赛电视转播的技术特点

1998年北京国际马拉松比赛的路线是一条新开辟的路线：由天安门广场出发，经西单、复兴门、月坛北街、甘家口、八里庄桥、长春桥、巴沟西口、知春路、健德门桥、北沙滩桥、清河南桥折返经北沙滩、安大路口、小关北口、北土城环岛，进奥体田径场西门，在田径场内绕两圈后到达终点。     

阿尔卡特朗讯为视频通话带来轻松无限的沟通体验

2011年11月7日，阿尔卡特朗讯帮助4G移动宽带网络运营商，通过引入创新技术。在诸如智能手机、平板电脑或个人电脑等多种设备间轻松实现语音和视频通话、即时消息及群组会话间的一键触摸切换，为用户带来全新的会话体验。