HL-1M装置等离子体与ICRH发射天线的相互作用

ICRH实验的一个比较突出的问题就是杂质。杂质的产生与ICRH发射天线同等离子体的相互作用和RF脉冲的发射有着不可忽视的联系。对HL－1M装置的ICRH发射天线在两年多实验中的变化作了简要的介绍和讨论，并对今后ICRH发射天线的设计提出了一些建议。     

HL-2A装置杂质线辐射测量的初步结果

杂质作为等离子体和第一壁相互作用的产物，由于能强烈地影响等离子体品质而一直是人们关注的焦点之一。杂质作为托卡马克中热辐射和冷电子的来源，影响等离子体能量和粒子的平衡，进而影响等离子体密度、温度和电流的分布，制约着托卡马克等离子体的输运和稳态运行。     

硅中浅杂质的激光感应光电导谱

首次采用光子能量小于硅中浅受主杂质电离能的可调谐远红外激光器作为激发源,获得了硅中浅受主杂质的光电导谱.可调谐半导体远红外激光器的调谐范围为380～500cm~(-1),光子流密度约10~(18)/cm~2·sec,用双光子跃迁对光电导谱进行了解释.对于Si:Al样品,光电导谱中的双峰分别相应于2P~1和2P~2中间态的双光子共振跃迁.也观察到了双光子透明的反共振现象.     

等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响

本文研究了等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响,求得了依赖于平面间耦合t的系统的有效维数的电导率修正。并且发现在计及等能谷间杂质散射时,电导率修正比只考虑谷内杂质散射时小一半,我们研究了层伏系统从二维过渡到三维的跨越维数效应,发现跨越行为依赖于谷间散射时间τ′,当t<1/τ(τ₀/τ′)^1/2时,系统具有二维行为,反之系统具有三维特征。 关键词：     

等温平台石墨炉原子吸收光谱法测定高纯镍中痕量杂质锑

利用石墨炉原子吸收法，在等温平台条件下直接测定高纯镍中的痕量杂质锑，对石墨炉加热程序中的干燥时间、灰化温度及原子化温度进行了优化，同时考察了介质酸度的影响。试验表明，基体镍对锑的测定有显著的影响，为此进行了标准系列基体匹配。该法的特征质量为6．6pg；相对标准偏差为6．5％；加标回收率为100％-103％。     

杂质对多电子方形量子点系统基态能的影响

根据密度泛函理论,用自洽迭代的方法求解二维方形量子点中有杂质时电子(N=1~12)的薛定谔方程,对绝对零度情况下处于基态电子的总能量进行了数值计算,并讨论了杂质对量子点中电子基态能量的影响,得出了方形量子点中多电子系统基态的一些性质.     

用激光吹气注入高Z杂质使HL-1M装置放电有效地安全终止的研究

现在国际上大装置纷纷发现破裂放电而导致电流突然中止造成装置遭受重大的危害，因为能量熄灭阶段存在强烈的热通量，而且在电流熄灭阶段中产生强烈的逃逸电子，使得第一壁材料可运行的时间大大缩减；同时在真空器壁上产生很强的电磁力。所以，必须在大装置上建立一种避免和软化能量衰竭与电流衰竭，并且控制预计的放电破裂或突然终止放电的措施。     

HL-2Aװ�ü��ⴵ��ϵͳ����

HL-2A装置激光吹气系统采用了全新自动控制的设计方法,实现了杂质注入量、靶片位移以及激光器被触发的时刻的精确自动控制.运行结果表明,该系统能把杂质的注入量控制在适当的水平,既不对等离子体约束产生影响,又便于光谱测量和杂质粒子输运研究.给出了激光吹气系统的设计,以及初步的实验结果.     

光子晶体耦合腔波导的色散特性

理论研究表明，在基于光子晶体的耦合腔波导中，杂质带的色散性质取决于相邻缺陷间局域电磁场的特性，而非缺陷间距离的大小.在第一布里渊区中出现的杂质带的反常色散实际上是能带折叠的结果.通过计算结构的有效折射率，证实了杂质带色散是正常色散. 关键词： 光子晶体 反常色散 耦合腔 杂质带     

ICP—AES法测定高纯二氧化锆中痕量杂质

介绍了高纯二氧化锆中痕量杂质元素Ｆｅ，Ｎａ，Ｓｉ，Ｔｉ的ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法。样品以浓Ｈ２ＳＯ４及（ＮＨ４）２ＳＯ４溶解，采用空白背景校正法消除基体Ｚｒ的光谱干扰，以基体匹配法补偿基体效应。各元素平均回收率为９５％－１０６％，相对标准偏差为１．３％－３．０％。