压锭烧结NTC材料电阻率的径向分布

压锭烧结NTC材料的电阻率沿径向分布,中心的电阻率明显高于表层的电阻率。电阻率的这种分布是由于在样品烧结过程中,中心部位缺氧,表层富氧;冷却时杂质向表层迁移,缺陷移动所致。笔者将讨论影响电阻率分布的原因及其规律。     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究

根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂60°位错模型,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂60°位错这种典型环境下的能量和电子结构,由此得出:N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定,且O优先偏聚于位错,不过当O含量不高时,N、O可以同时偏聚于位错;在位错芯处原子除受近邻Si原子的作用外,还要受到杂质原子的钉扎作用,且N 的这种作用比O强,这就从电子理论上解释了掺杂适量的氮可以提高Si的强度和抗翘曲度的事实.     

Energy Spectrum of a Positronium Negative Ion in a Parabolic Quantum Well

The method of few-body physics is applied to calculating the energy levels of low-lying states of a positronium negative ion in a parabolic quantum well.The results show that the energy levels of a positronium negative ion in two-dimensional case are lower than those in three-dimensional case.     

高压浓缩杂质法分析纯钨

提出了分析纯钨的新方法，此方法是以杂质的初步高压浓缩为基础的，高压浓缩是与用二氟化氙进行试样加工和以易挥发的六氟化物形式存在的基体的蒸馏同时进行的。用带直流电电弧的原子发射光谱法和耦合电感等离子体法来测定浓缩物中杂质Ａｌ，Ｃｌ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｒ的含量。在重量为２００ｍｇ的试样中。探测范围为６．１０＾－７￣３．１０＾－５％。     

低温双极晶体管的正向渡越时间研究

分析了禁带变窄效应和少子陷阱效应对低温双极晶体管正向渡越时间的影响，在此基础上，建立了综合两种效应的正向渡越时间模型，理论计算结果与实测值一致。     

彩色显像管制造中“蓝污”的分析及对策

本文简要说明了“蓝污”的形成原理，重点介绍了彩管生产中常见“蓝污”的形状、特征以及分析、判断的方法和对策。     

数值分析发光材料性质对OLED电流和亮度的影响

以具有指数分布的陷阱电荷限制电流为基础,用数值方法定量分析了单层有机电致发光器件(OLED)发光材料陷阱特性和发光层厚度对器件电流和亮度的影响。结果表明,电流密度和亮度随陷阱分布特征能级和有机层厚度的增大指数减小,并与总陷阱密度的1次方成反比,1为陷阱分布特征参数。     

像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响

在考虑像势影响的情况下，利用变分方法计算了垂直电场下量子阱中类氢杂质的结合能，给出了像势引起的结合能增量随阱宽、杂质位置和电场的变化曲线．结果表明：考虑像势对量子阱中类氢杂质结合能及其Ｓｔａｒｋ效应的影响是很必要的，而且自像势和互像势对类氢杂质结合能Ｓｔａｒｋ效应的影响是相反的．