利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究

基于界面陷阱的定义 ,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布 .发现这两种方法提取的界面陷阱密度的能量分布是自洽的 ,同时也与文献报道的 DCIV等方法的结果是一致的 .与其它的提取方法相比 ,采用弛豫谱技术的这两种方法更加简单和方便 .     

用红外吸收谱和俄歇谱研究氮化硅的成分和杂质

本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_3流量比及衬底温度的关系,用红外吸收法分析了膜中氢的含量及其成键状态,结果表明氮化硅膜中的氢含量是较高的,且氢原子大部分都与氮原子键合,在一定的意义上,可以把此膜看作是硅-氮-氢三元系。     

团簇中杂质局域磁矩的形成研究

采用密度泛函理论和离散变分方法,以I_h结构的Cu₁₂TM团簇为对象(TM:Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,Ag),系统地研究了杂质TM的局域磁矩及其形成机理,发现杂质TM在Cl₁₂中的局域磁性行为与在块体Cu中及在Al₁₂.团簇中的行为明显不同.除Cr和Mo的磁矩被淬灭为零外,其他的杂质都是磁性的.与杂质在块体d带衬底中的d-d相互作用图象相比,发现在团簇中存在着更为复杂的相互作用,它们影响着杂质的局域磁矩.其中Cu原子的s轨道与杂质原子之间的相互作用对3d和4d杂质的磁矩有重要贡献;Cu原子的p轨道与杂质原子的相互作用对Mn,Fe,Co,Ni,Tc,Ru,Rh的磁矩有关键性影响;Cu原子的d轨道与杂质之间的相互作用对Sc,Ti,V,Y,Zr,Nb的磁矩有关键性影响.     

硫酸钾水溶液亚稳区性质的研究（Ⅱ）：杂质对结晶过程的影响

研究了10种不同杂质对硫酸钾水溶液亚稳区宽度的影响,计算了在杂质存在条件下体系成核特征值的变化。结果表明,三价离子Cr~(3+)、Fe~(3+)、Al~(3+)使亚稳区明显加宽;二价离子Cu~(2+)、Zn~(2+)、Mn~(2+)、Mg~(2+)使亚稳区变窄;而一价离子Li~+、NH_4~+、Na~+则分别使亚稳区变宽、变窄、不变。     

用固溶强化模型计算InP中等价电子杂质对位错的钉扎力

本文根据固溶强化模型,考虑了等价电子杂质在InP单晶中的溶解度以及掺入杂质与基质原子之间共价半径之差引起的弹性失配.计算了这些杂质在InP 中对位错的钉扎力可达10~9～10~(10)达因/厘米~2,从而很好地解释了等价电子杂质降低位错密度的作用.