低价充值卡圈钱陷阱曝光揭秘六步诈骗手法

在短信和银行卡诈骗被公安机关严厉打击后，江湖骗子又卷土重来。最近，低价手机充值卡的广告在网络等传媒上频频出现，100元面值的充值卡5折、3．8折甚至更低出售，引得一些想发横财的人蠢蠢欲动。     

大直径直拉硅单晶中的空洞型原生缺陷

空洞型 ( Void)原生缺陷在大直径直拉硅单晶中的重要性日渐突出。本文在论述大直径硅单晶中 Void缺陷基本性质的同时 ,详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素 (氧、氮、碳、氢 )杂质的相互作用 ,并简要讨论了关于 Void缺陷的研究方法和今后的研究方向。     

薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究

采用高频 C- V曲线方法 ,研究了 5 0 nm及 15 nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程 .二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在 1× 10 3Gy(Si)剂量下近乎相同 ,而在大于 3× 10 3Gy(Si)剂量下 ,5 0 nm MOS电容的电荷密度约为 15 nm MOS电容的 2倍 .利用电离辐射后的隧道退火效应 ,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si- Si O2 界面附近分布的距离均约为 4nm .     

正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱

报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的 R- G电流峰值 .根据 SRH理论的相关公式 ,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加 ,指数为 0 .4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致     

GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究

在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管（IRLED）的低频噪声,发现1／f噪声幅值与偏置电流If^γ的r次方成正比,在小电流区,r≈1。在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAs IRLED的1／f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明．低电流区GaAlAs IRLED的1／f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1／f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1／厂噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。     

运营商应提醒“短信陷阱”

“您好，我是‘非常6＋1’节目主持人李咏，砸金蛋中大奖、完成你的家庭梦想，请将您的姓名、性别、年龄、身份证号码、特长告诉我们……”接到这种短信，你最好别回。这是10月28日媒体的一则提醒式报道说的，因为该短信并非由节目组所发，而且回复者除按月收取会员费外，每条短信按2元收费。     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究

采用高频C-V曲线方法,研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程.二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×103Gy(Si)剂量下近乎相同,而在大于3×103Gy(Si)剂量下,50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍.利用电离辐射后的隧道退火效应,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO2界面附近分布的距离均约为4nm.     

正向栅控二极管监测F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱

报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSFET栅控二极管结构．对于逐渐上升的累积应力时间,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的R-G电流峰值．根据SRH理论的相关公式,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加,指数为0.4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致．     

富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性

用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶,其电阻率为107Ω*cm量级,电子陷阱浓度为108cm-3量级,且能将注入其中的部分电荷储存起来.分析认为,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由Se空位引起的.