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151.
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流If^γ的r次方成正比,在小电流区,r≈1。在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAs IRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明.低电流区GaAlAs IRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1/厂噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。 相似文献
152.
153.
使用自主研发的钨系统中频感应加热炉对AlN粉料进行了烧结提纯处理实验,并用XRD、SEM、IGA和GDMS等表征方法分析了烧结后的样品.实验发现,高温(2 250℃)长时间(50 h)烧结提纯工艺效果显著,但AlN粉料损耗高达47.37%;而低温(小于2 000℃)分段式短时间(每段10h)烧结提纯工艺粉料损耗低于2%,但是提纯效果一般.通过对实验结果的综合分析,提出了一种AlN粉料烧结提纯的改进工艺,最终得到了氧含量仅238 ppm、碳含量135 ppm的高质量AlN单晶生长原料,并且显著增加了原料的利用率. 相似文献
154.
An investigation of the optical properties of a hydrogenic donor in spherical parabolic quantum dots has been performed by using the matrix diagonalization method. The optical absorption coefficient between the ground (L = 0) and the first excited state (L = 1) have been examined based on the computed energies and wave functions. The results are presented as a function of the incident photon energy for the different values of the confinement strength. These results show the effects of the quantum size and the impurity on the optical absorption coefficient of a donor impurity quantum dot. 相似文献
155.
We consider the motion of an impurity in a Bose-Einstein condensate system at T = 0 K with the contact interaztions for boson-boson and boson-impurity. Under the forward-scattering approximation, we obtain a Fr6hlich-like Hamiltonian for this system, which means that a polaron can be formed. The effective mass, the phonon number and the energy to form a polaron are obtained. We also discuss the validity of the forwardscattering approximation for this system. 相似文献
156.
157.
Plasma doping is the candidate for semiconductor doping. Accurate simulation of the doping technology is needed for the advanced integrated circuit manufacturing. In this paper, the plasma doping process simulation is performed by using the localized molecular dynamics method. Models that involve the statistics of the implanted compositions, angles and energies are developed. The effect of the model on simulation results is studied. The simulation results about the doping concentration profile are supported by experimental data. 相似文献
158.
利用离散变分方法和DMol方法,研究了P对bcc Fe中[100](010)刃型位错上扭折电子结构的影响,计算了杂质偏聚能、原子间相互作用能、电荷密度及态密度.计算结果表明:微量P引入体系后,电荷发生了重新分布,P原子得到电子,其周围Fe原子失去电子,由于P原子的3p轨道与近邻Fe原子的3d4s4p轨道之间杂化,使P原子与近邻Fe原子间有较强的相互作用,不利于扭折的迁移,使位错运动受阻,有利于材料强度的提高.同时,杂质P原子与基体原子间的成键主要是d,p轨道起作用,使得它们之间的成键有较强的方向性,有可能 相似文献
159.
160.
Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films deposited on Si(100)/SiO2 substrates by rf magnetron sputtering are investigated by a differential scanning calorimeter, x-ray diffraction and sheet resistance measurement. The crystallization temperatures of the 3.58 at.%, 6.92 at.% and 10.04 at.% Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films have decreases of 5.3, 6.1 and 0.9℃, respectively, which is beneficial to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase transition. Due to Sn-doping, the sheet resistance of crystalline Ge2Sb2Te5 thin films increases about 2-10 times, which may be useful to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase change. In addition, an obvious decreasing dispersibility for the sheet resistance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films in the crystalline state has been observed, which can play an important role in minimizing resistance difference for the phase-change memory cell element arrays. 相似文献