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931.
Reverse electric field Monte Carlo simulation for vector radiative transfer in the atmosphere
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In this paper, a reverse electric field Monte Carlo (REMC) method is proposed to study the vector radiation transfer in the atmosphere. The REMC is based on tracing the multiply scattered electric field to simulate the vector transmitted radiance. The reflected intensities with different total optical depth values are obtained, which accord well with the results in the previous research. Stokes vector and the degree of polarization are numerically investigated. The simulation result shows that when the solar zenith angle is determined, the zenith angle of detector has two points, of which the degree of polarization does not change with the ground albedo and the optical depth. The two points change regularly with the solar zenith angle. Moreover, our REMC method can be applied to the vector radiative transfer in the atmosphere-ocean system. 相似文献
932.
以p型硅和苝四甲酸二酐 (perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管。研究表明,PTCDA的厚度和Au电极的厚度对光敏二极管的光响应度有很大的影响。对比不同PTCDA厚度的器件性能,在PTCDA厚度为100 nm时,光响应度最高达到0.3 A/W。进而采用最优化的100 nm厚的PTCDA薄膜制备硅基光敏二极管,对比不同Au电极厚度的器件性能。在Au厚度为20 nm时,器件的光响应度达到最优化的0.5 A/W。 相似文献
933.
基于空气、冰、雪与水物理特性的差异,设计了适应高寒地区内陆河道冰雪情定点自动检测的传感器和数据采集系统设备.该系统被安装在黑龙江省漠河县北极村水位站黑龙江河道断面,进行了3个半月的冰雪情定点连续监测,获取了系统的黑龙江河道内部冰水情以与积雪深度现场数据.采集数据完整地反映了黑龙江河道冬季冰层和雪层生消变化过程,为分析高寒地区冬季冰雪情变化规律以及春季凌汛预警提供了科学的预测数据,并探索出了一种适合野外恶劣环境下工程应用的冰雪情检测方法和系统设备. 相似文献
934.
Synergistic effects of total ionizing dose on single event upset sensitivity in static random access memory under proton irradiation
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Nitrogen plasma passivation (NPP) on (111) germanium (Ge) was studied in terms of the interface trap density, roughness, and interfacial layer thickness using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The results show that NPP not only reduces the interface states, but also improves the surface roughness of Ge, which is beneficial for suppressing the channel scattering at both low and high field regions of Ge MOSFETs. However, the interracial layer thickness is also increased by the NPP treatment, which will impact the equivalent oxide thickness (EOT) scaling and thus degrade the device performance gain from the improvement of the surface morphology and the interface passivation. To obtain better device performance of Ge MOSFETs, suppressing the interfacial layer regrowth as well as a trade-off with reducing the interface states and roughness should be considered carefully when using the NPP process. 相似文献
935.
功率VDMOS器件用硅外延材料研制 总被引:1,自引:1,他引:0
文章阐述了硅功率VDMOS器件的基本原理和器件结构,也展现了作为电力电子器件其广阔的应用领域,提出了功率VDMOS器件对硅外延材料的要求和发展方向。依据功率器件对外延片的要求,通过优化外延工艺程序和优化外延工艺参数,消除或减弱了自掺杂对电阻率均匀性的影响,消除了过渡区对厚度均匀性的影响,也较好地控制了外延层中的结构缺陷... 相似文献
936.
借助混沌免疫遗传优化算法对于BP神经网络进行训练,建立基于混沌免疫遗传算法的混合神经网络模型.针对混沌免疫遗传神经网络计算工作量大,训练速度慢的缺点,利用Matlab的Parallel Computing Toolbox对于所建立的混沌免疫遗传神经网络模型进行并行化算法设计实现,并对渤海海区年极值冰厚数据进行预测,对比... 相似文献
937.
938.
939.