SPP在薄膜MIM隧道结发光中的作用

本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用.     

氮化铝基板薄膜金属化技术

氮化铝陶瓷由于具有热导率高等一系列综合优势。在电力电子及功率微电子技术中具有巨大的应用潜力，目前ＡｌＮ基板应用的关键是金属化技术。本文介绍了ＡｌＮ薄膜金属化技术的特点及可靠性测试情况。     

薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响

用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_0.53Ga_0.47As(85?)/Al_{0.4 关键词：}     

薄膜磁头磁轭制备工艺研究

本文重点讨论了用不同的工艺方法来制备薄膜磁头中的关键元件-磁轭。采用多次光刻的方法克服湿法工艺中磁性膜NiFe层的侧向钻蚀问题，从而实现对磁轭几何尺寸的精确控制，并对几种工艺方法的优缺点作了比较详细的分析。     

椭偏法测厚及折射率的计算机解算

WJZ型多功能激光椭圆偏振仪是在JJY型分光计上附加激光椭偏装置而组成。兼有分光计和椭偏仪的功能,可用于测量不同基底上介质薄膜的厚度和折射率;除作为高校中级物理实验外,亦可用于材料表面光学参数的分析研究。但是,与原椭偏装置相配用的椭偏仪数据表,只能适用于K_q基底上生长的氧化锆薄膜标准试样,这就实际上限制了椭偏仪的使用范围;另一方面,即使对上述标准试样测量,所获数据往往与数据表提供的数值偏离甚大,直接影响实验效果。经过多次实际试验,本文分析了三相椭偏方程解的特性,讨论了不同条件下椭偏法测厚及折射率的计算机解算。     

有机EL的稳定性和寿命

介绍了有机ＥＬ在稳定性及寿命方面的最新研究动态，着重描述了器件功能层组合的相互接触、阴极、空穴传输层玻璃化温度和驱动条件等对有机ＥＬ稳定性和寿命的影响。     

氧化物超导薄膜开发现状

本文叙述了(La,Sr)_2CuO_4和Ba_2YCu_3O_(7-y_)高T。氧化物超导体薄膜制备技术的现状。重点注意了真空蒸镀和溅射法。还从基体材料的角度论述了薄膜外延生长。最后评述了Ba_2YCu_3O(7-y)外延生长薄膜的部分各向异性特性。