全文获取类型
收费全文 | 6310篇 |
免费 | 752篇 |
国内免费 | 3143篇 |
专业分类
化学 | 5760篇 |
晶体学 | 138篇 |
力学 | 227篇 |
综合类 | 75篇 |
数学 | 64篇 |
物理学 | 1594篇 |
无线电 | 2347篇 |
出版年
2024年 | 100篇 |
2023年 | 381篇 |
2022年 | 395篇 |
2021年 | 399篇 |
2020年 | 300篇 |
2019年 | 250篇 |
2018年 | 159篇 |
2017年 | 190篇 |
2016年 | 203篇 |
2015年 | 252篇 |
2014年 | 475篇 |
2013年 | 464篇 |
2012年 | 439篇 |
2011年 | 455篇 |
2010年 | 428篇 |
2009年 | 378篇 |
2008年 | 489篇 |
2007年 | 404篇 |
2006年 | 395篇 |
2005年 | 414篇 |
2004年 | 368篇 |
2003年 | 438篇 |
2002年 | 365篇 |
2001年 | 353篇 |
2000年 | 230篇 |
1999年 | 166篇 |
1998年 | 168篇 |
1997年 | 159篇 |
1996年 | 154篇 |
1995年 | 125篇 |
1994年 | 97篇 |
1993年 | 106篇 |
1992年 | 104篇 |
1991年 | 66篇 |
1990年 | 64篇 |
1989年 | 97篇 |
1988年 | 38篇 |
1987年 | 19篇 |
1986年 | 34篇 |
1985年 | 29篇 |
1984年 | 21篇 |
1983年 | 22篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
41.
42.
如何对待很可能成为下一代平板显示技术发展方向的AM-OLED(有源矩阵有机发光二极管)技术是近两年困扰我国FPD(平板显示)产业的一个重要问题,尤其是随着今年商用OLED电视的若隐若现,这一话题在不同场合被产业链不同人士多次提起,有关是否应该不再发展全球性亏损的、产能过剩的TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)产业而重点投资OLED产业的讨论更是不绝于耳。《中国电子报》在近日就此事深入采访了数位知名专家,又受液晶分会之邀参加了相关话题的专家座谈,现将几次采访的观点刊登如下,以飨读者。 相似文献
43.
44.
《固体电子学研究与进展》2015,(3)
提出了一种应用于硅基有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)微显示驱动芯片的新型像素单元电路,具有三个MOSFET和一个存储电容。相比传统的电压驱动像素单元电路,增加的一个MOSFET,可以根据输入数据的变化,自动调节其等效电阻,降低像素单元的最小输出电流。本像素电路能够在较宽的OLED公共阴极电压范围内维持很大的电流比率。该电路采用SMIC 0.35μm 2P4M混合信号工艺进行设计,目前已成功应用于一款分辨率为800×600,像素节距为15μm×15μm的硅基OLED驱动芯片,经测试验证,输出电流范围为280pA~65nA,可以同时满足OLED阵列高亮度和高对比度的要求。 相似文献
45.
实验制作一种多层白色有机发光器件(WOLED)。将 绿光磷光材料和红光磷光材料 Ir(piq)2(acac)共掺到母体BPhen中作为绿光和红光发光层;荧光材料DPVBi作为蓝光发 光层,通过改变掺杂层的厚度,得到了高效率的白色WOLED。器件的最大电流效 率可达4.55cd/ A,14 V时亮度达8489cd/m2 ;当电压从4V变化到12 V时,色坐标从(0.52,0.34)变化到(0.34, 0.26),基本处于白光区。此器件的 特点,在于其性能可以通过简单地调整掺杂层的厚度来控制。 相似文献
46.
研究了WO3对Rubrene/C70有机太阳能电池 (OSCs)性能的 改善,制备了结构为ITO/WO3/Rubrene/C70/BCP/Al的OSCs,其中WO3插入在I TO和Rubrene中间作为阳极修饰层。通过优化WO3的厚度,研究了WO3对OSCs性能的改善及其作用机理。实验发现,器件的短路电流Jsc、开路电压Voc、 填充因子(FF)、光电转换效率(PCE)和串联电阻Rs等性能参数随WO3厚度的变化呈规律性变化;当 WO3厚度小于80 nm时,器件PCE随着厚度的增加不断增大;当W O 3厚大于80 nm时,器件PCE随着厚度的 增加不断减小;当WO3厚度为80 nm 时,器件PCE达到最高为1.03%, 相应的J sc、Voc、FF分别为2.81mA·cm-2、 0.83V、43.85%,Rs为45.3Ω·cm2,对比没有WO3修饰层, 器件的Jsc、Voc、FF和PCE分别提高了31%、137%、17%,Rs降低了33%。 相似文献
47.
48.
49.
50.
全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池因其优良的特性而受到广泛关注,但是钙钛矿层具有带隙宽、结晶性较差、表面缺陷较多和水分稳定性差等缺点,严重制约了全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池性能的提高和商业化发展.本文以无空穴传输层的碳基CsPbBr3钙钛矿太阳能电池作为控制组,在PbBr2前躯液中引入具有丰富疏水F离子的聚偏氟乙烯(polyvinylideine fluoride,PVDF)作为添加剂,调节CsPbBr3钙钛矿薄膜的生长过程,改善晶体结构和薄膜形态,降低缺陷密度及非辐射复合几率.结果表明,PVDF处理后钙钛矿器件的光伏性能得到了显著改善,光电转换效率提高至8.17%.并且在无封装条件下保存1400 h后,光电转换效率仍可保持90%以上.这表明适量添加PVDF可以有效提高CsPbBr3薄膜质量及器件性能.本工作对进一步拓展CsPbBr3钙钛矿太阳能电池的优化设计思路具有重要意义. 相似文献