钛炉胆穿孔腐蚀现象研究

钛合金具有优越的抗腐蚀性能,被广泛地用作波峰焊机的炉胆材质。但是在使用有铅钎料进行波峰焊接时,常出现穿孔现象。通过采用DES、XRD和SEM等分析手段对其进行了深入地分析,研究了在有铅钎料的使用过程中钛合金的腐蚀机理。     

电解电容器用铝箔腐蚀工艺研究

采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结果表明:当ψ(H2SO4∶HCl)为3∶1,电压为8V,温度为85℃,腐蚀时间85s时,可以获得高比容(0.59)高强度(弯折次数140)兼顾的性能。腐蚀溶液的组成、电压是影响腐蚀箔性能的主要因素。     

铜电路板缝腐蚀过程缝隙中pH、Cl-浓度分布的测量

根据铜电路板缝腐蚀特征,研制了阵列式Ag/AgCl、IrO2电极,设计缝隙腐蚀模拟装置,在0.5mol.L-1的NaCl溶液中分别同时原位检测电子线路板缝隙腐蚀过程,缝隙内的氯离子浓度分布、pH分布及其随时间的变化.研究表明,在电子线路板发生缝隙腐蚀的过程中,缝隙内部不同深度的Cl-及H+浓度逐渐增大,且随着与缝口距离的增大而增大,从而导致缝隙腐蚀不断向纵深方向发展.     

高速串行接口全链路有效抖动模型与测试相干分析

接口带宽是5G、AI、云计算等信息系统核心芯片的关键属性。简单扩展传输通道数目可成倍增加传输带宽,但封装与连接器引脚增加会导致结构难题,密集的互连线会恶化串扰,高速串行接口技术必不可少。在过去的10多年中,高速串行接口在传输速度和体系架构上有飞跃式的进步,从10G发展至112G/224G,这要求对传输过程中各种非理想因素的建模和分析更加精细,业界为此建立了一套全新的方法学。抖动是高速串行接口设计和应用中最大的挑战之一,本文从全链路视角介绍超高速串行接口的有效抖动模型,并给出测试方法,为高速系统设计提供参考与指导。     

PMOS剂量计对60Co和10keV光子的剂量响应差异

针对P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计对⁶⁰Co和10keV光子的剂量响应差异问题,本文对400nm-PMOS剂量计进行了不同栅压条件下⁶⁰Coγ射线和10keVX射线的对比辐照试验,并通过中带电压法和电荷泵法分离氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的影响,发现PMOS对10keV光子的响应明显低于⁶⁰Coγ射线,其中主要的差异来自氧化物陷阱电荷,退火的差异表示不同射线辐照下的陷阱电荷竞争机制不同,不同的分析方法也带来一定差异。通过使用剂量因子和电荷产额修正,减小了剂量响应的差异,同时对响应的微观物理机制进行了解释。通过有效剂量修正和电荷产额修正可以很大程度上减小不同能量的剂量响应差异,为PMOS的低能光子辐射环境应用提供了参考。     

四川省通信铁塔腐蚀情况调查及防护建议

基于对四川省内通信铁塔现场腐蚀调查,从前期防腐蚀设计、选材、防腐蚀涂层、环境因素等方面分析了通信设备发生腐蚀的原因.通过设计、建造、运行阶段的具体情况,从材质和环境两方面提出了通信铁塔防腐蚀相关建议,为后续新建5G基站防腐蚀提供了思路和方法.     

金属异质波导阵列中的表面等离激元传播特性

提出了一种新的一维金属异质波导阵列的设计方案,即波导芯区周期调制的金属波导阵列.数值模拟的结果表明,金属波导芯区的周期调制引起波导中传播的表面等离激元有效折射率的周期调制,从而可在特定的波段打开一个表面等离激元带隙(如1550nm附近).通过引入合适的缺陷波导单元,可获得特定波长的高品质因子(Q=556)的表面电磁模共振.这一结果可用于设计亚波长的布拉格反射器、光发射器、滤波器等,有可能被用于未来的集成光路.     

基于最小二乘支持向量机的番茄汁糖酸度分析研究

近红外光谱应用于农产品内部品质无损检测的方法引起人们的广泛关注,在分析过程中建立一个稳定可靠的模型用于处理非线性数据集是十分重要的,也是有一定难度的。目前常用的偏最小二乘(PLS)、主成分回归(PCR)以及逐步多元线性回归(SMLR)等方法还不能解决这类问题。文章提出了将基于统计学原理的最小二乘支持向量机(LS-SVM)回归方法用于番茄汁的近红外(NIR)光谱分析,预测番茄汁品质(糖度和有效酸度)。运用LS-SVM方法以67个番茄汁样本建模,采用高斯径向基函数(RBF)为核函数,对33个样本进行糖酸度预测,糖度的相关系数为0.990 25,均方根标准预测误差为0.0056° Brix;有效酸度的相关系数为0.967 5,均方根标准预测误差为0.024 5。结果表明,LS-SVM方法要优于PLS和PCR建模方法,是一种快速、准确的近红外光谱分析方法。     

用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷

用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征.通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等.从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法.     

几种常见介质对NdFeB磁体的腐蚀研究

采用失重法,分别在空气、自来水、氯化钠溶液、硫酸溶液及氢氧化钠溶液等几种常见介质中,对NdFeB磁体不同温度下的腐蚀情况进行了研究。结果表明:在同种介质中,NdFeB磁体的腐蚀速率随温度的升高而加快;pH值较小时,腐蚀严重;而当溶液的pH值增加时,样品的腐蚀速率减缓;当pH>10时,样品的质量基本不减少;pH>12,θ>25℃时,样品表面会形成碱式化合物,总质量增加,样品几乎不再受到腐蚀。