[N_2]_2二聚物激光介质研究

理论上通过从头算法 (abinitio)计算强相互作用的N2 分子二聚物可能存在的 6种点群构型的势能曲线 ,证明N2 分子二聚物以D2h 对称群构型存在 ,且存在电偶极允许的类准分子跃迁a1B2 g →a1B3u,并计算了a1B2 g →a1B3u 跃迁的荧光谱。估算了N2 分子二聚物 ( 3 3 6 2 1nm)的小信号增益系数。利用微波 ( 2 45GHz)激励高纯氮 ,实验观测了N2 分子二聚物的系列荧光谱带 ,并利用放大自发辐射 (ASE)法测量N2 分子二聚物 ( 3 3 6 2 1nm)的小信号增益系数 ,在误差范围内与理论估算基本一致。最后从理论上估算了N2 分子二聚物激光振荡的输出功率。     

SAGCM-APD增益影响因子分析与优化

应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP-InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的影响,载流子传输过程的时间依赖关系和倍增层中所处位置的影响,仿真结果表明:较高掺杂浓度和较薄电荷层结构可以改变器件内部的电场分布,进而提高增益值.当入射光波长为1.55μm,光功率为500 W/m2时,光电流响应量级在10-2A;阈值电压降低到10V以下,击穿电压为42.6V时,器件倍增增益值大于100.     

高性参掺铒光纤放大器的优化研究

根据二能级近似的Giles模型,计算了对于给定泵浦功率的最佳掺铒光纤长度,实验研究了掺铒光纤长度对于放大器增益谱形状的影响,通过进一步优化掺铒光纤长度获得了高增益,低噪声指数和宽带平坦增益谱的高性能放大器,并针对在DWDM和长距离多级联放大器系统中的应用提出了改进方案。     

通信系统中多径衰落信道传输性能的改进

通信系统中多径衰落信道传输性能的改进是当前比较热门的研究课题.我国的通信系统中多径衰落信道传输性能还存在严重的劣势,还存在着诸多有待解决的问题.在实用瑞利衰落信道下,存在加性高斯白噪声,对直接序列扩频通信系统抑制码片内、外多径干扰的能力进行理论分析与计算机仿真.在多径衰落信道较强的条件下,与提高扩频增益相比,增加扩频码的码长对于提高移动通信系统的抗多径衰落性能更加有效,但是扩频增益并非越高越好,需合理选取;证实扩频通信系统在多径瑞利衰落信道中传输时能有效地克服多径衰落.本文简要分析了瑞利衰落信道模型,并深入的研究和探讨了扩频通信系统抗多径干扰性能.     

红外图像序列中不均匀背景消除新方法

从红外相机自身特性和使用角度两方面对靶场红外图像序列中不均匀(花纹)背景产生的原因进行了剖析,分析了传统红外图像非均匀校正算法在处理靶场序列红外图像上的优缺点,提出在目标跟踪过程中随着场景变化,基于实时线性标定的非线性红外图像的校正的新方法,克服了传统方法的弊端,实时确定了校正增益系数和校正因子,消除了序列红外图像中不均匀背景。通过对含有弱小目标的靶场实际序列红外图像进行仿真验证表明,新方法去除了图像固定图案噪声,消除了探测器坏元的影响,输出了理想的序列红外图像。     

Kink效应对低温CMOS读出电路的影响

在深低温下(T＜50K),CMOS器件会出现Kink效应,即Ⅰ-Ⅴ特性曲线会发生扭曲.当漏源电压较大时(Vds＞4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系.本文通过实验表明,Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,Kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性;对于共源放大器和两级运放,Kink效应会使其增益产生非线性.最后,针对影响低温读出电路性能的Kink效应进行分析和研究,提出在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案.     

功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs

通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.     

可变增益的功率放大器单片微波集成电路

根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9 GHz频率范围内,1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35 dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5 mm×2.3 mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。     

800MHz CMOS低噪声放大器的设计

本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好.     

基于SIMULINK的开关型Σ-Δ调制器行为级建模

为精确反映多种非理想因素对开关型Σ-Δ调制器的影响,提高其在SIMULINK仿真器下的仿真精度,针对 SIMULINK的行为级建模提出一种新的积分器模型. 主要的改进之处包括：在运放模块中引入了有关直流增益非线性及信号建立过程非理想性的考虑,在开关模块中引入了电荷注入效应和导通阻抗的信号相关性影响,并将噪声模型作为独立模块引入系统. 应用该模型进行SIMULINK仿真,并与TSMC 0.35μm混合信号工艺下SPICE仿真结果进行比较验证.结果表明,所提出的模型成功地反映了上述因素对电路的重要影响,模型的应用提高了SIMULINK的仿真精度.