量子点超辐射发光管研究进展(续)

3 SLD应用及其性能要求 SLD具有高亮度、宽光谱、弱时间相干性、低噪声、高光纤耦合效率等优点,被广泛应用于光纤陀螺仪(FOG)[40-42]、光学相干断层成像术(OCT)[43-44]、光纤通信[45-46]、光时域反射计[47]、波长可调谐激光器[48]等领域,展示了广阔的军用、民用应用前景和重要的实用价值.     

双包层EYDFA增益钳制效果的理论研究

基于速率方程的离散算法,实现了环形腔控制方案下,双包层EYDFA增益钳制的分析,研究了单、多信道情况下增益、噪声指数钳制的效果。结果表明：对于单信道EYDFA,随着衰减器衰减系数的增大,EYDFA的增益钳制范围增大,但信号增益钳制的幅度减小,且信号噪声指数增大;对于多信道EYDFA,只要激光谐振不被破坏,各信道增益都能得到有效钳制。     

利用噪声抵消技术设计低噪声放大器

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz~2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输出匹配。偏置电路采用电流镜原理。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在2.3 GHz~2.7GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于1.96dB,增益大于21.8dB,整个电路功耗为9mW。     

增益光栅在全息激光振荡器中的应用

增益光栅作为一种动态衍射元件，可构成一种环形腔，只需一束光波即可形成光栅并产生位相共轭波，因此该现象被称为自泵位相共轭（SPPC），SPPC环形谐振腔具有修正位相失真的功能，由于其具有远大于1的反射率，用一个部分反射器取代输入光束，则系统就成为自启动的。在增益介质中写入体积增益光栅可用于高功率激光系统中光束质量的控制，本文综述了增益光栅的瞬态动力学特性和频谱滤波特性以及各种类型光栅在自启动全息激光振荡器中的贡献。     

CMOS高线性变增益放大器

设计了用于无线接收机的中频变增益放大器.该放大器由运算放大器和电阻反馈网络组成.分析了闭环变增益放大器产生失真的原因,通过提高输出电阻的线性等方法降低了输出大信号的失真.设计的全差分变增益放大器使用韩国"东部"CMOS 0.25 μ m工艺,电源电压3.3V,在2Vpp差分输出下,失真低于-80dB,放大器功耗3mW.     

BBO晶体类相位匹配光参量放大理论分析

理论研究了 BBO晶体在 类相位匹配下非共线情况时的参量放大特性。计算了在不同非共线夹角下的相位匹配角度。在增益谱分布的模拟计算中发现 类匹配具有非常窄的增益带宽 ,并在其参量带宽的模拟计算中得到了证实。数值模拟了转换效率随晶体长度的变化曲线。分析了抽运光脉冲和信号光脉冲的时间不同步以及初始输入的信号光脉冲形状对转换效率的影响。选择最佳晶体长度和同步时间 ,最大转换效率可达到 2 5 %。研究结果表明 BBO的 类相位匹配具有非常窄的参量带宽和增益带宽 ,这对于窄带的激光参量放大的研究有重要意义 ,并拓宽了 BBO晶体在光参量放大技术中的用途。     

掺钛蓝宝石晶体激光放大实验研究

报道了掺钛蓝宝石晶体激光放大实验研究，实验中得到最大的单程放大和双程放大增益分别为１４．７６和２６．３１，对应双程放大的增益系数为１．８１ｃｍ－１，并由此推算出掺钛蓝宝石晶体的增益截面为２．７４×１０－１９ｃｍ２，饱和能量密度为０．９３Ｊ／ｃｍ２．并给出不同的泵浦能量密度所对应的最佳放大介质长度。实验表明小信号近似下，放大增益只与泵浦功率密度有关．与注入种子能量无关。实验还测量了掺钛蓝宝石晶体对不同波长种子光的放大增益。     

光纤参量放大器技术及其最新进展

介绍和论述了一种非常有实用前景的基于光纤非线性效应的光参量放大器(OPA)及其最新技术进展．最新发展揭示了它的很多技术特性优于传统的掺铒光纤放大器(EDFA)、半导体光放大器(SOA)和近年来很热门的光纤拉曼放大器(FRA)，如对信号的调制形式、比特率的完全透明性、相位共轭、超宽的增益带宽、很低的噪声指数和具备优异的全光波长转换功能．     

参数设置对噪声等效温差（NETD）测试影响分析

噪声等效温差是一个用以标志红外热成像系统灵敏度的广泛使用的参数.在实际测试中各种参数的设置会对噪声等效温差的测试结果产生较大的影响,主要有积分时间、增益、背景温度等.详细分析了噪声等效温差及各参数的理论模型并在此基础上进行了实验与分析,定量地给出了各参数对噪声等效温差的影响,这为正确测试噪声等效温差提供了重要的参考依据.     

应用于千兆以太网的1-Gb/s 零极点对消CMOS跨阻放大器

A zero-pole cancellation transimpedance amplifier（TIA）has been realized in 0.35μm RF CMOS technology for Gigabit Ethernet applications.The TIA exploits a zero-pole cancellation configuration to isolate the input parasitic capacitance including photodiode capacitance from bandwidth deterioration.Simulation results show that the proposed TIA has a bandwidth of 1.9 GHz and a transimpedance gain of 65 dB·Ωfor 1.5 pF photodiode capaci- tance,with a gain-bandwidth product of 3.4 THz·Ω.Even with 2 pF photodiode capacitance,the bandwidth exhibits a decline of only 300 MHz,confirming the mechanism of the zero-pole cancellation configuration.The input resis- tance is 50Ω,and the average input noise current spectral density is 9.7 pA/√ Hz.Testing results shows that the eye diagram at 1 Gb/s is wide open.The chip dissipates 17 mW under a single 3.3 V supply.