全文获取类型
收费全文 | 5332篇 |
免费 | 1989篇 |
国内免费 | 3779篇 |
专业分类
化学 | 3256篇 |
晶体学 | 158篇 |
力学 | 256篇 |
综合类 | 135篇 |
数学 | 483篇 |
物理学 | 4442篇 |
无线电 | 2370篇 |
出版年
2024年 | 87篇 |
2023年 | 214篇 |
2022年 | 299篇 |
2021年 | 304篇 |
2020年 | 185篇 |
2019年 | 246篇 |
2018年 | 239篇 |
2017年 | 308篇 |
2016年 | 330篇 |
2015年 | 359篇 |
2014年 | 618篇 |
2013年 | 572篇 |
2012年 | 600篇 |
2011年 | 653篇 |
2010年 | 594篇 |
2009年 | 707篇 |
2008年 | 715篇 |
2007年 | 579篇 |
2006年 | 559篇 |
2005年 | 529篇 |
2004年 | 440篇 |
2003年 | 349篇 |
2002年 | 271篇 |
2001年 | 233篇 |
2000年 | 167篇 |
1999年 | 154篇 |
1998年 | 114篇 |
1997年 | 95篇 |
1996年 | 89篇 |
1995年 | 84篇 |
1994年 | 93篇 |
1993年 | 51篇 |
1992年 | 59篇 |
1991年 | 51篇 |
1990年 | 49篇 |
1989年 | 44篇 |
1988年 | 15篇 |
1987年 | 11篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 3篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 4篇 |
1978年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
1976年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 546 毫秒
141.
用密度泛函理论研究Lennard-Jones 流体在狭缝中的相平衡 总被引:1,自引:0,他引:1
用改进的基础度量理论(modified fundamental measure theory, MFMT)和密度Taylor展开分别表达过剩自由能中的短程作用和色散作用. 流体分子与狭缝壁之间的相互作用以10-4-3势能函数表达. 由巨势最小原理确定Lennard-Jones (LJ)流体在狭缝中的密度分布和过剩吸附量, 所得结果与分子模拟数据吻合良好. 根据平衡时两相温度, 化学势及巨势相等, 计算了LJ流体在狭缝中的相平衡. 相似文献
142.
超级电容器是一种介于电池与传统电容器之间的新型储能器件,具有高能量密度、高功率密度的双重特性。超级电容器可以配合燃料电池、锂离子电池作为电源系统,解决电动汽车在加速、爬破、刹车时单一电池无法克服的问题;超级电容器也可以作为太阳能、风能等绿色发电系统储能装置;它亦可以作为电子、通讯、医疗等设备的主力电源。为此,在近20年来,超级电容器成为发达国家(美国、俄罗斯、日本、澳大利亚以及欧洲国家)重点投资研究开发项目,并于20世纪80年代国际各大电气公司把多种超级电容器陆续投放市场。 相似文献
143.
为了在分子层次上揭示相关催化反应的机理, 人们对过渡金属氧化物团簇与碳氢化合物分子反应进行了大量研究. 相比于过渡金属氧化物团簇阳离子, 阴离子对一些碳氢化合物的活性弱得多, 因此研究还很少. 在本工作中, 我们通过激光溅射产生钒氧团簇阴离子VxOy, 产生的团簇在接近热碰撞条件下与烷烃(C2H6和C4H10)以及烯烃(C2H4和C3H6) 在一个快速流动反应管中进行反应, 飞行时间质谱用来检测反应前后的团簇分布. 在VxOy与烷烃的反应中, 生成了产物V2O6H-和V4O11H-; 在与烯烃的反应中, 产生了相应的吸附产物V4O11X-(X=C2H4或C3H6). 密度泛函理论计算表明: V2O-6和V4O-11可以活化烷烃(C2H6和C4H10)的C—H键, 也可以与烯烃(C2H4和C3H6)发生3+2环化加成反应形成一个五元环结构(-V-O-C-C-O-), C—H键活化与环加成反应都需经历可以克服的反应能垒. 理论计算与实验观测结果相符合. V2O-6和V4O-11团簇都具有氧原子自由基(O·或O-)的成键特征, 活性O-物种也经常出现在钒氧催化剂表面, 因而本研究在分子水平上, 揭示了表面活性氧物种与碳氢化合物反应的机理. 相似文献
144.
采用基于密度泛函(DFT)的非平衡态Green函数方法(non-equilibrium Green functions, NEGF), 计算了耦合于两个面心立方Au(111)表面间的对苯二硫酚(Di-thiol benzene, DTB)分子的电导性质. 讨论了偏压、分子-表面耦合形貌、分子间相互作用等因素对电荷传输特性的影响. 结果显示, DTB分子顶端H原子的存在会显著降低分子的透射系数, 减小分子的微分电导(dI/dV). 当在两极间移动分子时, 电导存在极大值. 分子间的相互作用会显著改变分子的输运性质. 相似文献
145.
电子气近似中的电子相关能与量子化学中的Hartree-Fock相关能在定义上不相互等同 作者从假想的、含N个电子的“有限电子气”出发,通过比较这类体系与无限电子气在物理模型上的差异,合理地把电子气相关能定量地分解为单电子自相关、电子自旋平行相关以及Hartree-Fock相关三个部分,并阐明了各组分的构成随N的变化规律在此基础上建立的Hartree-Fock与密函混合处理方案,无须借助任何经验参数,仅通过简捷的计算即可实现原子和分子的相关能校正平均误差为4.2%,优于CI—SD和MP_4等Hartree—Fock处理的结果. 相似文献
146.
用密度泛函理论详细地研究了SiO2·(CO)n(n=1~2)的结构和属性.研究表明,SiO2·CO是一个T形的具有C2v对称性的分子,SiO2·(CO)2具有C2对称性的分子;频率计算结果与实验值一致,CO在与SiO2成键过程中,C-O伸缩振动频率有所增加,说明静电势在复合过程中起了重要作用;基组重叠误差(BSSE)修正在计算相互作用能时不可忽视,相互作用能和解离能的计算以及NBO分析表明,SiO2·(CO)2中的SiO2与CO之间的作用相对SiO2·CO来说较弱;SiO2和CO2与CO的成键特点不同,主要是缘于SiO2与CO2的能隙不同. 相似文献
147.
The geometries of van der Waals complex CO2…CO were optimized at DFT and second-order Moller-Plesset perturbation(MP2) levels with the large basis set,three stable structures were found.The most stable structure has a T-shape geometry in which the CO lies along the C2 axis of CO2,with the two C atoms direct contact and R(C…C)=0.3227nm.The corresponding energies of the most stable structure were calculated by means of MP2,MP4D,MP4DQ,MP4SDTQ,MP4SDQ,CCSD and CCSD(T) methods,The BSSE (basis set superposition error) wads eliminated by the Boys-Bernardi counterpoise correction(CP) method.According to thermodynamics data.van der Waals complex CO2…CO can found at a low temperature and or a high pressure,There is a little charge transferred between the two interacted subunits.In the most stable structure,CO2 is the acceptor and CO is the donor. 相似文献
148.
采用密度泛函理论, 对在Ru(II)催化剂存在下, 有机叠氮化合物和末端炔的反应机理作了深入理论研究. 在B3LYP/LANL2DZ水平上, 对该反应体系中势能面各驻点的几何构型进行了全优化计算, 并经振动频率分析确定了过渡态和中间体, 通过内禀反应坐标(IRC)的计算, 确认了反应物、中间体、过渡态和产物的相关性. 对多个反应通道的协同反应以及分步反应进行了研究. 结果表明: 协同反应通道Ic和分步反应通道IIc是反应能垒较低的反应通道, 活化自由能较其它反应通道低, 有利于1,5-二取代1,2,3-三唑的生成, 具有特定的区域选择性, 与实验结果吻合. 相似文献
149.
150.
选用四种不同的密度泛函理论方法(B3LYP,B3P86,BLYP,BP86),在全电子的双ξ加极化加弥散函数基组(DZP )下,对SinH/SinH^-(n=3~8)体系进行研究,获得它们的基态结构和电子亲合能。预测Si3H/Si3H^-,Si4H/Si4H^-,Si5H/Si5H^-,Si6H/Si6H^-,Si7H/Si7H^-和Si8H/Si8H^-的基态结构分别为C2v(^2B2)/C2v(1^A1)氢桥结构,Cs(^2A’)/C(^1A’),C2v(^2B2)/C2v(^1A1),C2v(^2B2或^2B1)/C4v(^1A1),C5v(^2A1)/C5v(^1A1)和C5(^2A‘‘)/C3v(^1A1)。在电子亲合能方面,B3LYP方法预测的电子亲合能是最可靠的,预测Si3H,Si4H,Si5H,Si6H,Si7H和Si8H的电子亲合能分别为2.56,2.59,2.84,2.86,3.19和3.14eV。 相似文献