低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术

为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。     

公司与新品介绍--EVG770 Gen II纳米压印晶圆步进机

EVG公司推出EVG770 Gen II步进机,一种新型旗舰解决方案．纳米压印光刻机（NIL）。实现一种独特的分步重复压印方法,EVG770 Gen II解决了大面积光学用途和高分辨率纳米光学及纳米电子学特征图形的复制。     

2010年Q1全球硅晶圆出货量持续增长

根据SEMI（国际半导体设备材料产业协会）最新公布的SMG（SiliconmanufacturersGroup）硅晶圆出货报告,2010年第一季的硅晶圆出货呈现持续增长。     

中芯国际65纳米晶圆出货超万片成功进入量产阶段

中芯国际集近日宣布,其自2009年第三季开始在中芯国际北京12寸厂生产的65纳米技术晶圆出货累计已超过10,000片,目前已成功进入量产。     

iSuppli:2010年纯晶圆代工产业营业收入将比2009年增长42.3%

由于消费产品需求回升,iSuppli公司把2010年纯晶圆代工厂商的营业收入增长率预测上调了2.8个百分点。iSuppli公司预测,2010年前三个季度晶圆代工厂商将在满足客户需求方面面临压力。这种压力正在推动营业收入增长。继2008年第四季度和2009年全年急剧下滑之后,消费者支出已经在强力回升。因此,iSuppli公司已把2010年总体营业收入预测调高到298亿美元,比2009年的221亿美元增长42.3%。iSuppli公司先前预测今年营业收入增长     

2010年国内太阳能硅晶圆产量将达4 GWp以上

受到2010年太阳能光伏产业前景乐观的影响,近期太阳能厂商指出,预估2010年原太阳能硅晶圆的扩充量将达30亿瓦,目前从厂商下单设受到2010年太阳能光伏产业前景乐观的影响,近期太阳能厂商指出,预估2010年原太阳能     

3D集成晶圆键合装备现状及研究进展

硅基异构集成和三维集成可满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,有望成为下一代集成电路的使能技术,是集成电路领域当前和今后新的研究热点.硅基三维集成微系统可集成化合物半导体、CMOS、MEMS等芯片,充分发挥不同材料、器件和结构的优势,可实现传统组件电路的芯片化、不同节点逻辑集成电路芯片...     

2006：从奔腾时代到多核时代

台湾最大的8英寸硅晶圆厂台湾小松，因看好12英寸晶圆将成为市场主流，在2005年投资新台币70亿元，兴建台湾第一座12英寸硅晶圆一贯化生产工厂，该厂预计2006年底完工投产，初期规画月产能为5万片，预估2007年小松电子年产值将可望突破新台币100亿元。预期台湾小松12英寸硅晶圆厂完工投产后，将可与台塑集团转投资的华亚科技及福懋科技，完成上下游整合，也将使台塑集团成为台湾首家唯一垂直整合12英寸硅晶圆、     

IC封装中涂覆技术的应用

本文主要是对传统集成电路装片工艺所面临的挑战与使用DAF膜技术装片过程中的局限性进行论述,并且与当前已有的DAF膜情况进行深入的对比,对该方法的封装工艺装片、划片等重点工序与变更情况进行深入的描述,对于影响到晶圆背面的涂覆质量中的关键因素进行深入说明.