半导体是电子工业发展的基石(下)

正(接上期)科研投资日本资深专业人士泉谷涉还说:2012年日本国内半导体产值约5万亿日元,占GDP的5%,但它对应用半导体的服务业、硬件业以及通过IT业以提高生产力的下游产业来计算,半导体产生的经济效益约为100万亿日元,两者之比达到1:20,如此给力,谁不动心?!但是,半导体业又一向被称为"食金虫"产业,没有国家的大力支持,没有生产设备和科研经费     

Point 35 Microstructures宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块

Point 35 Microstructures公司宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块，进一步扩展其微机电系统（MEMS）单晶圆制造memsstar产品系列。这项新增的技术将确保MEMS器件设计师得到更多的生产选择，同时带来了宽泛的制造工艺窗口和各种工艺控制等等好处，从而使良率得到了最大的提升。     

英飞凌、TSMC扩大合作，携手65纳米嵌入式闪存工艺

茂德已和尔必达签署DRAM代工合约，尔必达将提供先进的制程技术与产品技术给茂德，茂德将以中科12寸晶圆厂提供尔必达DRAM代工服务。     

区域动态

华力微电子与联发科技合作开发28纳米工艺技术近日,上海华力微电子有限公司与联发科技股份有限公司共同宣布,华力微电子将与联发科技在28纳米工艺技术和晶圆制造服务方面紧密合作,部分联发科技移动通信处理器的代工将交由华力微电子完成。华力微电子此前已为联发科技的移动通信基带芯片、无线及连接IC产品提供不同工艺技术的支持。藉由本次在28纳米技术及晶圆制造服务上的新协作,不仅有利于华力微电子加速完善28纳米工艺     

晶圆减薄过程TTV调整技术研究

晶圆背面减薄是集成电路后封装关键工艺,通过金刚石磨轮的磨削作用,对芯片背面的基体材料-硅材料去除一定的厚度,从而降低芯片厚度,改善芯片的散热效果,有利于后期的封装工艺。主要介绍了在晶圆减薄过程中的关键指标TTV 的影响因素,通过设备自动控制,进行工艺角度调整,能够减小晶圆TTV 值,从而提高晶圆磨削质量。     

2月半导体行业要闻

海思结盟ARM台积电紧追高通联发科移动装置I C一向是高通(Qualcomm)和联发科的天下,但华为旗下的海思半导体2014年领先全球在台积电投片全球第一颗Fin FET制程的手机I C产品,轰动半导体业界,海思更是出面力挺台积电和ARM的16纳米Fin FET+制程。ARM是盟主角色,在生态系统环     

有害气体防制与晶圆表面处理技术

传统的半导体生产制程均使用湿式清洗技术清除晶圆表面的污染微粒,此一制程需用到大量的的有害化合物,造成作业人员危害及环境污染的问题。此外,因湿式清洗与润湿制程的超纯水用量约占半导体厂超纯水用量的60%,假如干式技术能取代部份湿式清洗步骤,将可减少可观的水资源及危害性化学用品使用量,并因而降低晶圆制程的风险。本研究系针对晶圆干式清洗法之脉动喷气式(Pulse-jet)清除晶圆表面微粒之机制进行探讨,以提供另一解决微粒污染晶圆问题的方法。由研究的结果显示,对晶圆表面0.6μm的标准PSL微粒(PolystyreneLatex)局部最高去除效率大…     

基于数字孪生技术的晶圆级测试平台

从数字孪生技术以及晶圆级测试现状出发,根据数字孪生技术需求,详细介绍了数字化晶圆级测试系统构建内容,进行了系统搭建,并对数字孪生技术在本领域后续发展方向进行了展望。     

2006全球晶圆代工业回顾

<正>回顾2006年全球代工业。通过分析全球4家代工领头羊,既:台积电、联电、中芯及特许的前3个季度业绩,定会发现2006年全球代工业的增长率在17%左右,比年初预计增长的22%要低,但是几乎仍是遵循比半导体业增长快1倍的规律。纵观全局,全球代工业“大者恒大”的局面似乎没有改变,有愈演愈烈的趋势。分析2006年全球代工业的增长,得益于2004年代工业有大量的投入,延至2006年发酵,产能逐步才爆发出来。     

国际要闻

<正>赛普拉斯披露与联电晶圆代工合作细节赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)日前宣布,晶圆代工大厂联电(UMC)已成为该公司重要制造伙伴之一。根据双方共同协议,Cypress将采用联电的先进工艺生产下一代SRAM产品。此举为Cypress首次选用非自家晶圆厂生产其旗舰级SRAM产品。Cypress预期今年稍后时间将tapeout