工艺制造

英特尔投资25亿美元在大连建12英寸晶圆厂；台积电55nm工艺量产就绪；     

PLD巨头对于采用300mm晶圆和新工艺制造FPGA器件存在分歧

作为第一家采用300mm晶圆和90nm工艺技术制造FPGA产品的供应商．赛灵思公司(Xilinx)的FPGA产品Spartan-ⅡE．Virtex—E、Virtex-Ⅱ和Virtex—ⅡPro器件已经开始采用UMC(台联电)公司的300mm晶圆制造，据称已经累计销售出200多万片。同时，赛灵思公司正在积极推出其利用90nm和300mm制造技术的下一代FPGA产品。     

我国半导体IC晶圆代工业现状与发展

我国半导体IC晶圆代工业发端于上世纪九十年代中下叶，当时的中国华晶电子集团公司承接微电子“七五”“八五”无锡工程MOS集成电路生产线建设，摆脱开工不足的困境，为适应市场环境，变IDM模式为代工模式，成立了华晶上华半导体公司于1998年开创了中国大陆纯开放式专业的晶圆代工模式企业，由此带动了我国IC晶圆代工业的快速发展的历程，     

基于磨粒运动轨迹的硅片化学机械抛光材料去率研究

硅片化学机械抛光（CMP）是机械作用与化学作用相结合的技术,硅片表面的化学反应层主要是由抛光液中磨料的机械作用去除,磨粒对硅片表面的摩擦和划擦对硅片表面材料的去除起着重要作用。磨粒在硅片表面上的划痕长度直接影响硅片表面的材料去除率。本文首先在实验结果的基础上分析了硅片CMP过程中磨粒的分布形式,然后根据运动学和接触力学理论,分析了硅片、磨粒及抛光垫三者之间的运动关系,根据磨粒在硅片表面上的运动轨迹长度,得出了材料去除率与抛光速度之间的关系,该分析结果与实验结果一致,研究结果可为进一步理解硅片CMP的材料去除机理提供理论指导。     

标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望

从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。     

生产验证的临时键合与解键合设备及技术

化合物半导体材料的应用经历了稳定的增长,尤其是在光电子产业中更为典型。这些材料的应用要求在封装之前需将衬底减薄到100μm以下。由于这种材料的易碎性,需要某种支持方式来通过各种工序对衬底进行处理。半导体行业中建造这种支持最公认的方法是临时固定这种衬底材料到刚性载体基底上。介绍了一种用全自动方式固定和解固定这类衬底的技术。通过采用各种中间基底,包括热和紫外光释放的能够预先准备和薄片状的全自动化干式黏性膜。200mm直径的这种衬底可以以片盒到片盒的方式键合到晶圆平面的这种载体上。本工艺中选用了一种保护性涂层到衬底上。一旦这种衬底固定后,便可以完成随后的减薄、通孔印刷等工序。当这种衬底被减薄和背面处理之后,第二道加工便用于从载体上解键合该衬底,再次以片盒到片盒的方式将其固定到划版的薄膜或类似的载体上。     

2009年硅晶圆需求将减35％下半年或反弹

市场研究公司Gartner指出,2009年硅晶圆需求预计将较2008年减少35．3％。受金融危机造成的电子产品与半导体产品需求下降,2008年第四季度硅晶圆需求环比减少36．3％。Ga~ner目前预计2009年全球半导体收入将减少24％至33％。     

多项目晶圆(MPW)

在集成电路设计开发阶段，进行工程流片是关键一步。随着制造工艺的提高，流片费用不断上涨，已经成为阻碍中小设计企业的一大障碍。多项目晶圆计划能够降低实验性流片费用，有利于集成电路设计人才的培养。本刊特介绍了有关MPW项目及申请流程、计划等内容。