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21.
《电子测试》2006,(9):98-99
富士通的半导体事业逐渐起死回生,除了以微控制器和系统整合芯片等自行设计的逻辑半导体为主体外,还扩大了晶圆代工业务。富士通2006年度的半导体事业设备投资金额为1,400亿日元,较2005年度增加50%,相关设备投资主要投入逻辑半导体领域。  相似文献   
22.
台湾最大的8英寸硅晶圆厂台湾小松,因看好12英寸晶圆将成为市场主流,在2005年投资新台币70亿元,兴建台湾第一座12英寸硅晶圆一贯化生产工厂,该厂预计2006年底完工投产,初期规画月产能为5万片,预估2007年小松电子年产值将可望突破新台币100亿元。预期台湾小松12英寸硅晶圆厂完工投产后,将可与台塑集团转投资的华亚科技及福懋科技,完成上下游整合,也将使台塑集团成为台湾首家唯一垂直整合12英寸硅晶圆、  相似文献   
23.
正Crossing Automation,Inc.是顶尖的半导体工厂和工具自动化产品设计厂商和制造商,当今最主要的半导体装置和设备公司均使用其产品。公司日前推出450 mm分类机,即Spartan 450。同时,公司宣布接到了另一顶尖半导体制造商的新型分类机订单。此平台计划于2012年第一季度发货。  相似文献   
24.
《中国集成电路》2013,(10):14-15
全球电子设计创新企业Cadence设计系统公司与集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司,近日共同宣布中芯国际已采用Cadence 数字工具流程,应用于其新款SMICReferenceFlow5.1,一款为低功耗设计的完整的RTL—GDSII数字流程。Cadence流程结合了先进功能,以帮助客户为40纳米芯片设计提高功率、性能和面积。  相似文献   
25.
制造与封测     
《集成电路应用》2012,(6):39-40,42
格兰达:提供精准加工和精准设备的"一站式"解决方案格兰达技术(深圳)有限公司是格兰达科技集团的半导体设备研发中心和制造中心,配备了数百台精密数控加工中心(MAZAK、MAKINO、FANUC、MORISEIKI、AMADA等),形成了研发、设计、生产、制造等全套集成能力,致力于精密机电一体化的研发与集成,为国内外中高端客户提供精准加工和精密设备的"一站式"解决方案。其自主研发的半导体封装系列设备已经获得了100多项发明专利和实用新型专利,填补了我国多个技术领域空白,其产品和解决方案已经应用于数十家全球知名公司和世界500强企业。格兰达专注于半导体后道工序,自主品牌及知识产权的标刻、封装、检测设备的研发、制造与服务。其  相似文献   
26.
德州仪器(T I)公司在2016年步入了在华的第三十个年头,靠着不懈的投入和努力,中国区业务取得了可观的成绩——现有1900名员工,遍及18个城市的办事处,4个研发中心,一个产品分拨中心,一个晶圆制造和封装测试、晶圆凸点加工的一体化制造基地。正所谓"三十而立",TI中国不但立住了,还立得非常之稳。在这背后,究竟有怎样的故事呢?而面临中国经济转型的局面,TI中国又怎样突破自我呢?  相似文献   
27.
, 《中国集成电路》2012,(11):10-11
联华电子日前宣布,已顺利验证晶圆代工领域第一个结合12V解决方案的高压嵌入式闪存(eFlash)工艺。此工艺可将中大尺寸触控IC所需的驱动高压,以及存放算法所需的eFlash,结合于同一颗高整合度的单芯片中,并且有效地改善信噪比(SNR)。与业界所提供的其它高压选项(例如18V、24V或32V)相比,此12V解决方案在信噪比与耗电之间,提供了绝佳的平衡。联华电子12VeFlash技术目前已于0.11微米与0.18微米工艺上提供给客户使用。  相似文献   
28.
Room-temperature photoluminescence and optical transmittance spectroscopy of Co-doped(1×1014,5×1016,and 1×1017cm-2) and Cu-doped(5×1016cm-2) ZnO wafers irradiated by D-D neutrons(fluence of 2.9×1010 cm-2) have been investigated.After irradiation,the Co or Cu metal and oxide clusters in doped ZnO wafers are dissolved,and the wu¨rtzite structure of ZnO substrate for each sample remains unchanged and keeps in high c-axis preferential orientation.The degree of irradiation-induced crystal disorder reflected from the absorption band tail parameter(E0) is far greater for doped ZnO than the undoped one.Under the same doping concentration,the Cu-doped ZnO wafer has much higher irradiation-induced disorder than the Co-doped one.Photoluminescence measurements indicate that the introduction rate of both the zinc vacancy and the zinc interstitial is much higher for the doped ZnO wafer with a high doping level than the undoped one.In addition,both crystal lattice distortion and defect complexes are suggested to be formed in doped ZnO wafers.Consequently,the Co-or Cu-doped ZnO wafer(especially with a high doping level) exhibits very low radiation hardness compared with the undoped one,and the Cu-doped ZnO wafer is much less radiation-hard than the Co-doped one.  相似文献   
29.
正(接上期)科研投资日本资深专业人士泉谷涉还说:2012年日本国内半导体产值约5万亿日元,占GDP的5%,但它对应用半导体的服务业、硬件业以及通过IT业以提高生产力的下游产业来计算,半导体产生的经济效益约为100万亿日元,两者之比达到1:20,如此给力,谁不动心?!但是,半导体业又一向被称为"食金虫"产业,没有国家的大力支持,没有生产设备和科研经费  相似文献   
30.
Point 35 Microstructures公司宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块,进一步扩展其微机电系统(MEMS)单晶圆制造memsstar产品系列。这项新增的技术将确保MEMS器件设计师得到更多的生产选择,同时带来了宽泛的制造工艺窗口和各种工艺控制等等好处,从而使良率得到了最大的提升。  相似文献   
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