提高电压调节器大功率管可靠性措施

大功率三级管在晶体管电压调节器中起无触点开关作用，是一个关键元件。为了提高大功率三极管的可靠性，我们在以下几个方面进行了探讨：大功率三极管的合理选择；保护电路的设计；正反馈电路的使用；散热器的合理设计；散热器的表面处理；接触面表面粗糙度和平面度公差的选择；导热衬垫的使用。根据探讨结果，采取相应措施，取得较好的效果。     

电阻栅MOSFET及其应用

介绍了ＲＧＭＯＳＦＥＴ的基本原理，以及它的器件结构和伏安特性，提出了它的互补结构，分析其输出特性，并简单介绍了其应用前景。     

S波段低相位噪声HBT MMIC VCO

Ｓ波段低相位噪声ＨＢＴＭＭＩＣＶＣＯ陈新宇，林金庭，陈效建（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２２ＴＮ４５４ＳＢａｎｄＬｗｏＰｈａｓｅＮｏｉｓｅＨＢＴＭＭＩＣＶＣＯ￥ＣｈｅｎＸｉｎｙｕ；ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ；ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ...     

Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究

采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．     

GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究

本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊