锰酸钙晶体中缺陷的高分辨电子显微镜研究

本文以高分辨电子显微镜为手段对锰酸钙晶体缺氧空位排列形式和大颗粒样品解体过程进行了初步的研究。观察到了非化学剂量化合物锰酸钙晶体结构,通过观察还发现了锰酸钙晶体中缺氧墙和反相畴界伴生存在的现象。进一步理论分析发现无论是晶体中缺氧空位,非化学剂量化合物中缺氧空位串,还是晶体间缺氧墙,这些结构和完整锰酸钙曹体结构相比较都是缺氧的。这样我们对锰酸钙晶体缺氧过程描述为:完整晶体失氧,首先以点缺陷形式存在,随着失氧量的增大在晶体中开始出现缺氧线缺陷和缺氧面缺陷,当晶体继续失氧时,缺氧墙位置通过移动产生反相畴界,从而导致了晶体的部分解体。     

100—172MHZ带状支架抗震型石英谐振器的研制

本文叙述了１００－１７２ＭＨＺ石英谐振器。采用了３个和２个带状支架支撑晶片，从而提高了谐振器的抗外界环境的冲击振动能力，实现了设计目标。     

碲镉汞晶体研制及应用

本研究的目的在于实现８～１２μｍＨｇＣｄＴｅ晶体的商品化。文中介绍了其生长工艺和性能检测，用付里叶红外光谱仪测得标准组分偏差△＝０．００４，测得原生晶体的空穴浓度可低达７．０３×１０１６／ｃｍ３热处理后，晶体的Ｎｎ和μｎ分别为３．４～５．７×１０１４／ｃｍ３和（２．０６～２．２９）×１０５ｃｍ２／ｖ．ｓ用以上材料制成２４元至１６０元光导红外探测器阵列及３２元至６４元光伏红外探测器阵列，其实验数据表明所研制的晶体均能满足不同应用之需要。     

激光晶体的新发展

本文根据最新资料对固体激光器所用激光晶体的近期发展作了详尽综述，并对我国应如何发展激光晶体研究提出建议。     

深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶及其分子工程学探索方法

阐述了紫外无机非线性光学晶体分子工程学探索方法的基本特点，具体分析深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶（ＳＢＢＯ）以氟硼铍酸钾（ＫＢＢＦ）为主要参考晶体的分子设计方法，随后根据晶体结构研究、单晶培养、和非线性光学性能测定等实验结果讨论ＳＢＢＯ作为新型深紫外无机晶体的主要优点，即它既具有更短的紫外吸收边（接近１５５ｎｍ）和较大的非线性光学系数（ｄ２２（ＳＢＢＯ）＝０６×ｄ２２（ＢＢＯ）＝１３８ｐｍ／Ｖ），同时晶体无明显层状习性，并肯有良好的化学稳定性和机械性能     

Cr^4＋：YAG,Cr^4＋：Mg2SiO4近红外荧光辐射温度特性研究

测量了Ｃｒ＾４＋，ＹＡＧ、Ｃｒ＾４＋，Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱，吸收光谱和激发态寿命，讨论了温度变化时，两种晶体中Ｃｒ＾４＋近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系，得出结论：在７７Ｋ￣３００Ｋ范围内，Ｃｒ＾４＋的＾３Ｔ２能级荧光辐射截面本身受温度影响不大，Ｃｒ＾４＋辐射荧光的变化，主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。     

用BBO晶体产生196～228nm波长的紫外辐射

本文报道了用BBO晶体通过混频产生196～228nm可调谐紫外辐射的研究结果.产生200nm及222nm的量子转换效率分别为12%及23%,与理论计算值基本相符.